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前兩天，外界給出消息，美光在明年將為顯卡們配備GDDR6 VRAM，用以作為HBM2代的補充。

之前的說法是GDDR5X將用於下代中低階顯卡，從名字上看GDDR6好像更先進，那麼它和GDDR5X之間有何區別呢？

作為目前該技術的唯一擁有者，美光不得不站出來澄清，他們表示，明年確實會有也只會有GDDR5X問世，沒有什麼GDDR6，這是兩個產品。

這一回覆言簡意賅，既確認了GDDR5X，又透露GDDR6的存在，看來後者應該就是進階版。

按照之前的爆料，明年的NVIDIA帕斯卡和AMD北極島都會採用GDDR5X，可能NV的佈局更多一點，AMD在HBM2上則會繼續保持領先。

就目前美光公佈的資料來看，GDDR5X突破頻寬瓶頸的辦法是用提高預取數據位寬（從8位元提升到了16位元）的方法來提升頻寬，據說初期能達到10-12Gbps，後期能達到16Gbps，這樣一來，以256bit VRAM的GM204核心為例，明年的GP104將有望達到384GB/s，是現在7Gbps GDDR5的1.7倍，接近HBM一代的512GB/s。

現在HBM VRAM只有SK海力士拿出了成品，三星也在開發，而美光之前是和Intel守在另一堆疊記憶體陣營HMC上的，GDDR5X算是自己從HBM搶食的新招吧。