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三星電子今天宣佈，已經開始量產基於第二代HBM(HBM2)技術的業內第一個4GB DRAM VRAM顆粒，可用於高階顯卡、高性能計算(HPC)、網路系統、企業伺服器等等。

三星的4GB HBM2 VRAM採用其最高效的20nm工藝製造，結合先進的晶片設計，並且和之前的128GB DDR4記憶體一樣使用了3D TSV立體矽穿孔技術。

這顆VRAM封裝內在底部封裝了一個緩衝晶片，之上堆疊了四個8Gb(1GB)容量的HBM2 DRAM晶片，然後透過TSV孔洞和微凸塊銲接垂直互聯在一起。

其中每一個8Gb HBM2晶片上就有5000多個TSV孔洞，比起8Gb DDR4多了足足36倍，進而大大提升了數據傳輸效率和性能。

新VRAM的頻寬高達256GB/s，是第一代HBM的兩倍，同時也是4Gb GDDR5 36GB/s的超過7倍，並且支援ECC錯誤校驗以提升可靠性。

這樣只需兩顆這樣的晶片，一塊顯卡就能輕鬆擁有8GB的VRAM容量、512GB/s的VRAM頻寬，完爆HBM1、GDDR5。

三星還計劃今年推出8GB HBM2，容量再增加一倍，一顆就能滿足高階顯卡需求，進而比GDDR5節省95％的電路板空間。

AMD Fiji系列顯卡去年首次使用了HBM，供應商是韓國SK海力士，今年的Polaris(北極星)家族會上第二代，但具體規格不詳，理論上容量和頻寬也會加倍番。AMD首次使用的HBM單顆容量僅為1GB，四顆才組成4GB，依然無法完全滿足頂級GPU的需要。

NVIDIA Pascal(帕斯卡)家族則會直接上HBM2，用的就是三星的方案，但最快第二季發佈的並非頂級核心與HBM2 VRAM，這樣的旗艦產品要到下半年甚至明年才會見到。

JEDEC標準協會日前也升級了HBM標準規範，最高支援到容量8GB，頻寬256GB/s，並引入了TSV工藝。很顯然，三星的HBM2必然符合這一規範。