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Registered User
加入日期: Mar 2004 您的住址: 亞洲.台灣.台北
文章: 2,054
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引用:
BIOS 是 F3 (當時官方最新) @BIOS 可以升到 F4b , 是 beta 所以不昇 我並非 發牢騷 , 只是 敘述 我的狀況 且 經由 266 x9 ok 333 x9 fail 333 x8 ok 400 x7 fail 400 x6 ok 300 x9 ok 316 x9 ok 基本上 不加壓 , FSB 上 400 是可以, 可是 CPU 上不了 2.8G 以上 大概 在 2.7G ~ 2.8G 之間 吧 所以 就這樣 300 x9 CPU 是 E2160 M0 供大家參考 別忘了 "能超是我幸 不能超是我命" 的 超頻名言 |
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2007-08-30, 10:51 AM
#41
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Regular Member
 
加入日期: Sep 2006 您的住址: New Taipai City
文章: 71
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小弟的U是AMD 4600+ 2.4G 1.25V S940 90nm
RAM是創見 DDR2 800 1G X2 1.8V 時序5 5 5 15 21 2T CL5 有試過HT3 RAM1.9V U電壓1.25或1.275V DDR800 外頻只能上到250X10 DDR2 1000 可是不穩用 玩一下子會藍天白雲重開機 試過很多OC組合 HT都鎖3 Cool&Quiet關 PCI CLOCK鎖100 U加壓1.275V RAM 1.9V 236X11=2600 DDR866 217X12=2600 DDR866 一樣不穩用 U加壓到1.325V RAM 2.0V 246X11=2700 DDR900 225X12=2700 DDR900 一樣不穩用 最穩的組合只有不用加壓 DDR667去跑 250X10=2500 DDR833 還有DDR800去跑 208X12=2500 DDR833 請問一下大大們 不要加過多電壓下(主板BIOS只支援RAM加壓0.3V) 要怎麼改才能讓U上2.6G以上 DDR800以上 穩跑 ----- 哈~! 有個傢伙...跟你同病相連... 這樣你不會有太多不安了吧 |
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2007-08-30, 11:49 PM
#42
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Regular Member
加入日期: Sep 2006 您的住址: New Taipai City
文章: 71
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2007-08-30, 11:59 PM
#43
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Regular Member
加入日期: Sep 2006 您的住址: New Taipai City
文章: 71
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2007-08-31, 12:04 AM
#44
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