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coolaler
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加入日期: Feb 2002
您的住址: 台中市NOVA旁
文章: 2,861
引用:
Originally posted by kasman
不知道使用Apcer DDR RAM的各位,你們所說的Turbo模式,有沒有將
1T command 開啟(不是設定為Auto)?之前我買過兩支Apcer DDR333
但是搭配8k3a+來用,在333下開Turbo並開啟1T command 就會不穩定
所以我覺得雖然Samsung的顆粒雖然猛,但也要看RAM的module,就我
個人使用的情形來看,我覺得Samsung原廠的module與顆粒搭配上最強
如果是搭配上別家的module,那就要碰運氣了!
就拿勝創來說,以前的PC-150 SDRAM真的做的不錯,但是DDR就遜色多了
他都是用美光的顆粒,為什麼跟美光原廠的DDR就差那麼多?我認為就是差在
module∼

個人使用turbo的情形是都用1t cmd的,設定為1T command效能會好一丁點,也沒有不穩定的情況,我的運氣還不錯!
     
      
舊 2002-05-03, 05:02 AM #21
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sammy0321
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加入日期: Oct 2001
您的住址: 台北
文章: 415
我用的是asus a7v266e,雖然沒有turbo選項,但我也都是設 cl=2 5-2-1t cmd跑我的ddr333 三星顆粒,也沒問題啊,好想換asus a7v333或epox 8k3a
 
舊 2002-05-03, 05:29 AM #22
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linshifa
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加入日期: Feb 2002
您的住址: Titan PC-City
文章: 71
請問一下 各位所說的turbo選項是要怎樣開ㄋ? 我超記憶體的外頻是使用nvmax來超的....但是不知道所謂的CL1? CL2? 這是怎樣開ㄋ?? 作用是什麼ㄋ?? 可以請各位大大教學一下嗎?? 感謝!!!
__________________
Pentium4 1.6AGHz OC 2.13GHz
勤茂 256MB DDR266 PC-2100 OC 380
主機板 P4S333
聯強Geforce2 MX400 64MB
舊 2002-05-03, 06:11 AM #23
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coolaler
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加入日期: Feb 2002
您的住址: 台中市NOVA旁
文章: 2,861
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Originally posted by linshifa
請問一下 各位所說的turbo選項是要怎樣開ㄋ? 我超記憶體的外頻是使用nvmax來超的....但是不知道所謂的CL1? CL2? 這是怎樣開ㄋ?? 作用是什麼ㄋ?? 可以請各位大大教學一下嗎?? 感謝!!!



turbo或faster,或fast,normal等選項只是某些mobo的便捷選項,它的意思是將記憶體最佳化,或優化,或用一般的設定來傳輸,有的mobo沒有這選項,但不代表就不能調整
舉例如
CL的意思是當RAM用來下讀取命令的1個CYCLE,需花多少時間來完成才有正確資料,2T,2.5T,或3T,
當然2T速度>2.5T速度>3T速度
其他還有
SDRAM RAS PRECHARGE TIME
是說當SDRM發出再加壓命令後,多少時間不得再發出命令,
當然2T速度>3T速度
SDRAM RAS TO CAS DELAY
是說當SDRM發出啟動命令後,多少時間才會讀取或寫入命令,
當然2T速度>3T速度
SDRAM ACTIVE TO PRECHARGE TIME
是說當SDRM發出啟動命令後,多少時間才會發出再加壓命令
當然5T速度>6T速度
ACTIVE TO CMD
是說SDRAM傳輸命令的週期速度,
當然1T CMD>2T CMD
個人拙見有錯請指正,謝謝
舊 2002-05-03, 06:53 AM #24
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sammy0321
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加入日期: Oct 2001
您的住址: 台北
文章: 415
引用:
Originally posted by coolaler



turbo或faster,或fast,normal等選項只是某些mobo的便捷選項,它的意思是將記憶體最佳化,或優化,或用一般的設定來傳輸,有的mobo沒有這選項,但不代表就不能調整
舉例如
CL的意思是當RAM用來下讀取命令的1個CYCLE,需花多少時間來完成才有正確資料,2T,2.5T,或3T,
當然2T速度>2.5T速度>3T速度
其他還有
SDRAM RAS PRECHARGE TIME
是說當SDRM發出再加壓命令後,多少時間不得再發出命令,
當然2T速度>3T速度
SDRAM RAS TO CAS DELAY
是說當SDRM發出啟動命令後,多少時間才會讀取或寫入命令,
當然2T速度>3T速度
SDRAM ACTIVE TO PRECHARGE TIME
是說當SDRM發出啟動命令後,多少時間才會發出再加壓命令
當然5T速度>6T速度
ACTIVE TO CMD
是說SDRAM傳輸命令的週期速度,
當然1T CMD>2T CMD
個人拙見有錯請指正,謝謝


謝謝分享,我都只設CL的部分其他都設預設值,現在改這樣效能又提升了
舊 2002-05-03, 08:01 PM #25
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hst2698
Regular Member
 

加入日期: May 2002
您的住址: 地球
文章: 69
有的mobo沒有這選項,但不代表就不能調整
我的偉格sl75kav KT133A..bios就沒這些選項..
只有兩個
DRAM drive Strength
Dram drive value
這兩個選項...預設是2F (auto)
請問一下是調這個嗎....?? 要怎麼射定呢 ??
舊 2002-05-11, 12:54 AM #26
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cs52271
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加入日期: May 2002
您的住址: 聖母峰峰頂^^
文章: 3,488
Re: Re: Re: 讓ddr333變ddr400

引用:
Originally posted by coolaler

大概2500左右,要買samsung顆粒的

在台北NOVA與光華商圈有更便宜的報價(2450元).
舊 2002-05-11, 01:14 AM #27
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nikebear
Major Member
 
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加入日期: Mar 2002
您的住址: Pan-Chiao
文章: 175
請教一下,光華或nova,那邊可以買到原廠模組的samsung ddr333記憶體啊?
謝謝大家.....
__________________
..葉子的離開,是因為風的追求,還是樹的不挽留?..
舊 2002-05-11, 01:23 AM #28
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JunYan
Major Member
 

加入日期: Jan 2002
您的住址: Keelung
文章: 158
國際電子廣場B2F雅X的店有品安的samsung ddr333 原廠模組(256MB)
那時買2400...現應便宜些了吧...
__________________
@_@...
舊 2002-05-11, 04:49 AM #29
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micpon
Basic Member
 

加入日期: Jan 2002
您的住址: 高雄
文章: 17
我有kingmax ddr333(-05) 256M*2
在8IRX可以跑DDR354 CL2 2T-2T-5T-1T
在P4S333可以跑DDR375(150外頻) CL2.5 3T-3T-6T-2T 若是CL2無法開機
在P4S533可以跑DDR400(CPU/RAM=4:6) CL2.5 4T-4T-7T-2T
舊 2002-05-11, 06:17 AM #30
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