我想你應該有誤會!

照 AMD 的文件圖看來, 是 in-package 方式, 堆疊四個
memory dice, 上下以 TSV 工藝連接, 然後, 和 GPU
mount 在基材上. 意即現在被稱做 3D IC.

而非 in-process 方式去做 3D 堆疊, 即你所謂的 3D 晶圓.

你喜歡這樣稱呼是因為站在"製程"角度
很多東西本來領域不同 名詞不同

可是本質上這兩者是承一而生旦有所不同
個人不認同你的狹隘觀點
3D IC有很多做法 不一定非得TSV
工藝進化材料特性會改變
在下不認為微縮製程就可以解決問題

至於TSV良率那就更不用擔心
台灣有很多新鮮的肝 良率必定好...

AMD有沒有必要:
歷史證明AMD都喜歡做超前一個世代的事情
美其名是先驅者 難聽點是不務實 有褒有貶
btw除非你靠這方面吃飯 否則此實不甘你我之事

AMD快死掉 就好像狼來了 已經喊很多次 麻麻xD

拜託 5:5？ 還有人相信兩個能通用？
個人猜測 Samsung/GLOBALFOUNDRIES拿到量大的「A9」
TSMC則拿到「A9X」

行業內的確用 3D IC 來稱呼, 說 HBM 搞不好沒人聽過哩!

TSV 是目前即將進入成熟的技術, 3D IC 不用這個要用啥?
別忘了, 不光是製造廠而已, 原料供應商的協力也重要.
先有新的封裝技術, 系統商才會評估, 並試著設計出產品試做.

就我所知: T 公司也才剛起步, 有再多新鮮的肝, 還是要有
learning curve. 想衝首波就去衝吧! 我是不會這麼幹滴.

關於不務實方面, NV 也不惶多讓, 只是還沒到消費者手上,
就胎死腹中.

工藝不重要嗎? 當然很重要, 幾乎決定了產品的命運.

工藝進化--->芯片產熱更少, 能塞入更多電晶體.
以 RAM 來說 8Gb 一顆的, 可以做到 32Gb 一顆,
操作頻率也可以比較高. 靠設計解決功耗, 通常就是
犧牲性能和閹割.

我再強調一次: 高頻寬記憶體不一定要用堆疊.

而 HBM 的封裝方式在業界是被稱做 3D IC, 不是我發明滴.

大家都在講3D，其實很多3D有根本上的不同

用房子來做比喻的話，假設一顆Die = 一個台北市
那每一棟房子就是一個Cell
一般的2D 晶圓指的是一整個台北市都是一樓平房

FinFET我找不到適合的建築物比喻，可能可以類比大概是樓中樓的感覺
3D X point memory 是整個台北市都是二樓的房子
3D NAND則是整個台北都是101大樓

toshiba BiCS屬於 3D NAND的架構
SLC/MLC/TLC/QLC對應的是每一單位房屋能住的人數為1/2/3/4
Floating gate 做到TLC已經是極限
能做QLC的得改用Charge trapping
這部份的區別是住在房子裡的人怎麼被保留在房子裡的方法

TSV 叫做空中都市，就是台北市的上面堆疊N個台北市
然後用一個通道打穿N個台北市
這種堆疊N個台北市的才叫3D IC
至於3D IC不會只能堆疊台北市(NAND)，他已可以堆疊新北市(DRAM)
一般常見的NAND 就會有 2CE/4CE

抗議 為什麼新北市只能當DRAM這種慘業

3D IC真的很多種實現方式 不一定要TSV
個人看好Intel & Samsung的做法
基礎結構上進行3D化 而不是只靠堆疊這種無甚創意的招

哈，DRAM好的時候可比NAND賺的多呀

從基礎結構3D化有一定的難度
尤其是要做到夠多層(EX:101大樓這樣)，製程的難度真的是飛上天了

比方說三爽的3D V-NAND，目前可以做到48層堆疊
但是你很快就會看到再往上到64層會開始拉長時程，沒有以往那麼順利了。

堆疊其實是一種相對便宜的作法，兩顆包一起容量就兩倍

三爽不曉得 但Intel已經有...
Intel在全球各大學研究機構有多項合作
手上有不少牛肉尚未端出

希望TSMC撐下去 幹掉敵人三爽現代
尤其三爽 他們的手段真的很骯髒

DRAM本來台灣能夠占有一席之地
結果被短視近利慣老板玩到死光光
好幾個朋友被裁到現在還沒回鍋 因為太專業
華人甚麼藍海最後都玩成紅海

Intel / 三爽 / TSMC 主要是在邏輯上的競爭
3D 也就是FinFET 的微縮了。
TSMC的16nm FF 後段製程跟 20nm 一樣，是為了省成本
16nm FF+ 的後段就會跟 3爽一樣，這才是完整的16nm
目前邏輯這塊，我認為Intel還是最強，TSMC是老二，三爽不用講他自己都喊三了

3D NAND 這塊就 IM/toshiba/三爽/hynix　這幾家再玩
本質上，toshiba/三爽/hynix算是同一個系統
IM就真的是火星科技了，他的3D NAND還是floating gate架構
同樣256Gb來說，三爽要48層TLC才是256Gb
但是IM是32層 MLC就有 256Gb，TLC更是384Gb
只是IM的3D NAND可能還要再等等。

不管怎樣，Intel 不論在邏輯或是記憶體方面的工藝，都是處於最頂端
雖然追趕者跟Intel可能只差個半階或一階的程度
只是，Intel被稱為地表上最強的半導體公司真的不是浪得虛名。