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SK海力士宣布量產HBM2 VRAM

消息來源
去年AMD聯合SK海力士歷時8年研發的HBM(高頻寬VRAM)首次在Fury顯卡上出現,首發容量4GB,卻第一次就帶來了512GB/s的頻寬(內部)、4096bit超高頻寬。

今年的AMD Polaris和NVIDIA Pascal都將迎接1Xnm的製程革新,與此同時,系列的高階款式都將搭載HBM2 VRAM,也就是HBM第二代VRAM,頻寬加倍。

繼三星之後,SK海力士也宣佈將在今年Q3量產4GB HBM2,同時在Q4有望拿出8GB HBM2。SK海力士的VRAM封裝同樣採用的是3D TSV立體矽穿孔技術,也就是在保證結構強度的前提下在晶片(矽)上直接垂直通孔。這樣做的高出不僅可以大大提升了數據傳輸效率和性能,而且非常節省空間,當然技術難度也是相當高(要在不影響晶片強度以及完整性的前提下在一塊DRAM顆粒上打洞,而且是不止一個)。

SK海力士透露,HBM2 VRAM的客戶不僅有AMD,也有NV,也就是和三星一起爭搶Pascal高階顯卡的訂單。傳言中NV的Pascal旗艦將會有16GB甚至32GB的瘋狂VRAM,拭目以待了!

PS:AMD和NV的中階及入門卡將使用GDDR5X,美光在今年夏季量產。
     
      
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舊 2016-03-08, 01:45 PM #1
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ChungWhaCanon
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加入日期: Mar 2004
您的住址: 長沙
文章: 1,365
AMD/NV將會採用三星HBM2 VRAM

在推動HBM記憶體發展這一點上,除了勞苦功高的AMD之外,SK海力士也功不可沒,但是悲劇的是SK海力士在HBM2記憶體被三星超越了,AMD Polaris、NVIDIA Pascal高階顯卡都會使用三星的4GB HBM2,因為SK海力士的4GB HBM2要到Q3才會量產。

相比HBM一代,HBM2繼續保持1024bit頻寬,8個通道,但容量及速度進一步提升,支援2-Hi、4-Hi及8-Hi堆棧,速度也加倍到等效2Gbps,因此JESD235A標準的HBM記憶體單個容量分別為2GB、4GB及8GB,頻寬從128GB/s提升到256GB/s。目前AMD及NVIDIA下代顯卡都會搭配4組HBM記憶體,等效頻寬4096bit,總頻寬可達1024GB/s,也就是NVIDIA之前宣傳的TB/s等級頻寬。

三星雖然沒有介入HBM一代記憶體,但在HBM2記憶體上率先量產,一步到位推出了4GB HBM2記憶體,已經被AMD Poalris以及NVIDIA的Pascal顯卡選中,而SK海力士最新消息顯示他們的4GB HBM2記憶體預計在今年Q3量產,Q4則會推出容量更大的8GB HBM2記憶體。
 
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舊 2016-03-08, 02:30 PM #2
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明彥
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加入日期: Mar 2007
文章: 992
看來光GPU的需求量 恐怕到明年底還輪不到APU也包幾顆....
舊 2016-03-09, 10:57 PM #3
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明彥離線中  


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