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Master Member
  
加入日期: Nov 2010
文章: 2,414
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引用:
https://en.wikipedia.org/wiki/NVM_Express NVMe比SATA-Express還早出世呢... 只是之前都用在企業級晶片上 現在下放到消費晶片上而已
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新。弱弱的戰績  
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2015-10-13, 09:37 AM
#71
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Golden Member
 
加入日期: Jun 2002 您的住址: Taiwan
文章: 2,668
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雖然很威猛，但我覺得要冷靜一下，HDD那種幾百個ms躍進到SSD的us是很有感。
但從us到ns的話，如果不是用來伺服多人多工，一般使用上會有明顯的感覺嗎？ |
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2015-10-13, 09:49 AM
#72
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Regular Member
 加入日期: Jun 2012
文章: 78
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話說三星和東芝等其他廠商打算開始用QLC這種偷雞摸狗的東西了
假設***特爾和鎂光這兩個好哥們 3D Xpoint這個量產良率和價格能壓在一個範圍的話 那QLC被打死的機率是多少 |
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2015-10-13, 09:57 AM
#73
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Master Member
加入日期: Feb 2004 您的住址: 台灣國台北市
文章: 1,740
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引用:
打算? NVMe介面的SSD已經有很多人在用了  SAMSUNG SM951 & INTEL 750...
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類亞希子登場...可是沒有空間可放縮圖...好個爛雅虎奇摩...  Orz..Orz..Orz..Orz..Orz..Orz..Orz..Orz..  タブブラウザ Sleipnir 公式ページ |
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2015-10-13, 09:59 AM
#74
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Advance Member
加入日期: Jan 2013
文章: 417
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引用:
4KB讀寫目前仍是較慢，還有提昇空間， 如果能有效改善，在小檔存取上會有感覺。 |
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2015-10-13, 10:03 AM
#75
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Major Member
加入日期: Jan 2007
文章: 248
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引用:
主要是來自這張圖 我一直以為NVMe會是新的介面 http://www.tomshardware.com/reviews...dates,4286.html  QLC的問題應該是P/E cycle 太少 但是如果搭配3D X point memory 把主要讀寫都在 3D X point memory 中進行 不常使用的資料就存在容量更大的 QLC 中，也許QLC會是另一種優勢 QLC (Four-Bit MLC) Quad-level cell is the next natural progression to increase the density of NAND, and this technology would prove to be very efficient when utilized in tandem with 3D XPoint caching in a hybrid implementation. 3D XPoint would be a natural type of super-fast cache front end for a massive low-endurance (and low-cost) QLC SSD data store. When I asked Crooke about whether Intel was developing this type of implementation, he gave a knee-jerk, enthusiastic “Yes!" before throttling back down and indicating that everyone in the industry is merely thinking about it and researching it. First it would have to work. |
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2015-10-13, 01:12 PM
#76
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Junior Member
加入日期: Apr 2001 您的住址: 新竹↘台中↗
文章: 965
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今天有看到篇新聞~
HP、SanDisk 新技術，稱比 NAND 快 1 千倍 （HP）也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」（ReRAM）科技。新技術可取代 DRAM，速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。 不曉得這和 3D XPoint 有什麼差別呢？孰優孰劣？ 
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我們遇上的狀況可能很可怕或者避不過，可是人永遠都能選擇——如果不能選擇要不要承受，至少能選擇如何處之。 如何輕便的禦寒~ 如何輕便的禦寒2004~ 如何輕便的禦寒2005~ 幫忙推薦個好動畫~ 各位對腳踏車有興趣嗎~ 剛看到好笑的笑話~ 這些人就在你左右嗎？ 減肥幫~ MotoGP 2007~ MotoGP 2006~ MotoGP 2005~ 
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2015-10-13, 03:00 PM
#77
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Major Member
加入日期: Jan 2007
文章: 248
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引用:
有一說 3D X point memory 也是 ReRAM 不過更多人相信是 PCRAM ReRAM 跟 3D X point memory 最大的區別可能會是容量 3星有打算做3D ReRAM，但是後續都沒看到消息 至於取代DRAM，我想以DRAM的速度與特性，應該有點難度 目前我認為最有機會的可能是Intel的 DRAM + 3D X point Memory 畢竟CPU是intel研發的，他說我主推、只支援 DRAM + 3D X point Memory 你拿intel一點皮條也沒有呀。 |
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2015-10-13, 04:45 PM
#78
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Elite Member
加入日期: Jan 2002 您的住址: 閃亮亮的永和*~
文章: 6,096
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引用:
SLC到MLC的PE次數大暴跌，但MLC到TLC卻沒跌多少，TLC到QLC應該也是差不多的情況。 如果QLC容量極大，再加上5~10%的SLC做寫入緩衝，整體壽命應該高過100%MLC。
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2015-10-14, 06:17 PM
#79
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Major Member
加入日期: Jan 2007
文章: 248
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引用:
其實你少考慮製程微縮的影響 SLC的P/E cycle 數 100K次是4X nm，MLC在4X nm 大概還在10K上下 當SLC做到 24nm，P/E cycle數大概剩50K次， MLC則大約在5K次上下 再到19/20nm，SLC P/E數會在40K次附近，到15/16nm就更少 而MLC在20nm以下的P/E cycle數基本上都維持在3-4K次之間 TLC 的壽命大概是在 500-600 次附近 若以SLC--> MLC，壽命大概是減少90% MLC-->TLC，壽命的減幅也差不多是70-80% 只是MLC本來P/E數就少，看起來好像沒差多少 TLC-->QLC若也是差不多的減少幅度，那P/E數差不多就100次附近 再來就世ECC的功能，NAND在4X nm 以下就必需要ECC的功能 ECC的數量在SLC上很少，Toshiba的24nm SLC 需要8bit ECC 相同製程的MLC需要24bit ECC TLC則大概要70bit ECC ECC數量牽扯到讀寫速度以及cell size QLC預估ECC可能要到2-300bit的等級吧 未來QLC或許會真的出現，但是在目前的技術下可能經濟效益上還比不上TLC 這只能等這些大廠研發出新技術了。 |
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2015-10-15, 09:11 AM
#80
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