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Elite Member
  
加入日期: Jan 2002 您的住址: 閃亮亮的永和*~
文章: 6,096
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引用:
DRAM會進入CPU內當L4快取，就像以前L2快取由主機搬移入CPU內一樣。 未來SSD會長得很像現在的DRAM，直接插在主機板上。
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2015-08-24, 10:21 AM
#61
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Elite Member
加入日期: Aug 2004
文章: 5,682
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引用:
酷 ............ 
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行善之家、必有餘慶、積惡之家、必有餘殃。 天理昭彰、報應不爽、諸惡莫做、眾善奉行。 有因無緣、果報不現、因緣聚合、業報現前。 善有善報、惡有惡報、不是不報、時候未到。 定慧等持、精進修行、心存善念、行善布施。 諸天護衛、諸佛護祐、災劫消弭、逢凶化吉。 阿彌陀佛 
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2015-08-24, 11:51 AM
#62
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Major Member
 
加入日期: Aug 2012 您的住址: 無限期潛水中...
文章: 227
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引用:
就是啊 不知何年何月能得償所望 - |
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2015-08-24, 12:02 PM
#63
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Advance Member
加入日期: Dec 2002
文章: 490
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引用:
我是看成 SSD 的殺手… 想說 SSD 還需要什麼殺手 應該說是殺手級的 SSD 吧，大家的中文都怎麼了? |
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2015-08-24, 12:08 PM
#64
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*停權中*
加入日期: Apr 2004 您的住址: 台北市
文章: 663
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引用:
所以現在主機板開始把早期獨立的外加卡如網路.磁碟陣列.擴充介面一個個整合進來 但是就讓那些擴充卡的廠商只有幾家高階產品還能存活 等到哪天電腦跟手機一樣高度整合的時候的時候........  |
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2015-08-24, 12:11 PM
#65
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Major Member
加入日期: Jan 2007
文章: 248
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我認為3D X point memory 是無法取代DRAM的
就壽命來看，DRAM還是最高等級 10^15 次 3D X point memory 是 10^7 次 SLC NAND 大概 10^5 次 MLC NAND 約 10^3 次 要拿3D X point Memory 取代 DRAM 是有難度的 速度上， DRAM 是 ns 等級 3D X point memory 是 10 ns 等級 NAND 是 ms ~ 3D X point memory 樂勝 價格上，DRAM 每GB 大概 150-180 NT/GB SSD 在低階一點的128GB 大概是 10NT/GB 高階大容量大概是 20NT/GB 3D X point memory 應該會在這之間 根據先前展示的晶圓圖片，大概可以推算出同容量下3D X point memory 的die size 大約是20nm 128Gb NAND的 1.1~1.2倍 新製程、新材料(可能有)下，整體製造成本有可能是NAND的2~N倍也不一定 就算很保守的估計2倍 估計每GB 售價會在 50~100NT/GB 之間吧 (我個人亂猜的) 這種東西，打DRAM 速度不夠壽命太短 打SSD，容量差不多下太貴；相同價格下又太小 那這種東西到底要幹麻? 我也沒有頭緒 可能主打高階SSD，反正高階嘛~錢永遠不是問題 另一種可能是HDD/SSD的快取 當3D NAND朝著 3bit MLC (TLC) 的高容量邁進時 以一個16GB 的3D X point memory 當快取應該可以明顯的提高使用壽命 再加上是NV memory，不會有斷電資料遺失的問題 當然，這一切都是我的臆測~ 此文章於 2015-08-24 12:21 PM 被 hareluya6510 編輯. |
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2015-08-24, 12:19 PM
#66
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Junior Member
加入日期: Feb 2001 您的住址: M42 星雲
文章: 742
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現在不是有了? M.2 介面的 SSD 不就是直接插上板子的 在 BIOS 裡被視為 HDD |
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2015-08-24, 02:23 PM
#67
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Elite Member
加入日期: Jan 2002 您的住址: 閃亮亮的永和*~
文章: 6,096
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引用:
現在的M.2外觀跟記憶體模組不像，未來為了頻寬會大量增加接腳數量，就會像現在DRAM的造型。
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2015-08-25, 01:47 AM
#68
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Major Member
加入日期: Jan 2007
文章: 248
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引用:
 Intel 打算弄一個新介面，NVMe 目前的SSD/HDD透過SATA再經由PCH與CPU溝通 新的NVMe會跳過PCH 根據Intel的說法，預估採用NVMe的SSD NAND可以降低延遲20% 引用:
 Intel確實打算拿3D X point Memory 來做DRAM模組 Intel 應該會在2017年推出Xeon CPU，並支援 3D X point memory 做出的 DRAM 模組 但是從簡報看到的是 DRAM + NAND 我想實際上應該是用 DRAM + 3D X point memory 做出混合型 NVDIMM 先不談NAND的耐久度，光速度就差 3D X point memory 1000倍 組合DRAM / NAND 的NVDIMM 肯定是比少林功夫加唱歌跳舞還沒搞頭的 若是DRAM / 3D X point memory 那才是真的大躍進 用容量超大、延遲達到nanosecond 等級的 3D X point memory 當緩衝 以後幾乎所有的作業都是放在 3D X point memory 中，然後再直連 DRAM讓CPU做處理 這遠比延遲是microsecond等級的SSD透過SATA-PCH快上許多 |
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2015-10-13, 09:24 AM
#69
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Elite Member
加入日期: Oct 2002 您的住址: 另一個地球
文章: 4,558
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引用:
intel 握有 3D X point Memory 的專利? 若是這樣的話，要把DRAM整個市場吃下應該很有可能 不過歐盟與米國法院可能又要跳出來了...
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大家快來加入World Community Grid(BOINC for Android)與Folding@home(Folding@Home for Android)的行列，一同找出重大疾病（愛滋、癌症、帕金森氏症...等）的解決方案 [YOUTUBE]PPc7gsZIk24[/YOUTUBE]           網路果然很危險，動不動就會被告...    發現自己越來越痴漢了...
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2015-10-13, 09:29 AM
#70
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