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Master Member
  加入日期: May 2021
文章: 1,965
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自家4nm晶圓良率低三星Galaxy S23將全面使用高通處理器
https://m.mydrivers.com/newsview/870310.html
隨著高通驍龍峰會的臨近，驍龍8 Gen2旗艦芯片受到大家廣泛的關注，同時搭載這款旗艦芯的手機也越來越多的曝光出來。 據韓國運營商KT洩露的海報可知，三星將會在明年的1月5日舉辦Unpacked活動，同時發布備受矚目的S23系列新機。 毫無疑問，作為三星的旗艦系列手機，三星Galaxy S23將會搭載高通驍龍8 Gen 2處理器，並且會配備更大的電池。 有消息稱，三星目前正通過5nm和4nm節點來擴大其Exynos平台的市場份額，但是由於4nm版本良率較低，散熱和性能不達標等問題被迫採用驍龍8 Gen2作為主要處理器。 高通首席財務官Akash Palkhivala表示，三星使用高通芯片的份額將從Galaxy S22系列的75%提升到全球份額，這意味著Galaxy S23系列將全部使用高通處理器。 --- 最近看新聞說，由於三星良率低 所以代工報價不像台積電是整片晶圓 而是以成品晶片數量計價 這新聞奇怪的地方在於 三星已經宣布量產3nm，還是更好的GAA技術 為何不拿來生產Exynos？ 然後Exynos處理器如今還有用在什麼地方嗎？ |
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2022-11-05, 10:26 PM
#1
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Golden Member
 
加入日期: Apr 2017 您的住址: 陣亡者的靈堂
文章: 3,183
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2022-11-05, 10:39 PM
#2
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Power Member
加入日期: Feb 2007 您的住址: 桃園龜山
文章: 627
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引用:
技術宣示,不代表能大量生產,別忘了三星是用記憶體獲利填補晶圓代工虧損 很有可能是晶圓代工接越大,要用到越多記憶體獲利來填補,表面不能明講 又不可能找台G代工獵戶座晶片~~~簡單的說,三星3nm訂單越多,虧損越多 
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2012 新 舊機 CPU I7 980 Q3FE (伪980X 4.2g) MB:X58 RAMPAGE III extreme POWER:BFG 1000W RAM:4G 1333*3=12G VGA:GTX 470 SLI (MSI*2) SSD:OCZ V2 60G+ KINGSTON 120G CASE CM 690 阿仲買的真魂140(讚) |
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2022-11-06, 01:12 AM
#3
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Junior Member
加入日期: Apr 2003
文章: 751
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引用:
我猜三星3nm產能不夠吧，產能不夠良率又不行的話，手機部門大量備貨是個難題 現在三星3nm應該是小量多單式生產，還在一邊做一邊學(搞數據)的階段 依照台灣服務業的說法叫做"試營運" Exynos有出穿戴式系列的晶片，三星跟Google手錶都是用Exynos相關系列的晶片 PS: 自從美光收購台灣幾個晶圓廠後，這幾年戰鬥力扶搖直上 三星半導體最核心的DRAM跟NAND FLASH技術都被美光慢慢追上了 |
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2022-11-06, 02:40 AM
#4
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Elite Member
加入日期: Jun 2001 您的住址: 地球
文章: 6,234
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8 gen1本身也是翻車啊
所以Exynos更廢?
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~愛由一個笑容開始，用一個吻來成長，用一滴眼淚來結束。 當你出生時你一個人在哭，而所有在旁的在笑，因此請活出你的生命， 當你死的時候，圍繞你的人在哭而你便是唯一在笑。~ |
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2022-11-06, 03:09 AM
#5
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Master Member
加入日期: May 2021
文章: 1,965
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2022-11-06, 03:18 AM
#6
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New Member
加入日期: Sep 2021
文章: 1
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三星良率低
本站有人說gg年底花式翻車 看來中芯要稱霸了  |
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2022-11-06, 06:58 AM
#7
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Master Member
加入日期: May 2021
文章: 1,965
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引用:
台積電3nm目前還看不出那個新產品已經用上 搞不好要明年第一季才出現 今年底要怎麼花式翻車我也很好奇 |
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2022-11-06, 07:16 AM
#8
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*停權中*
加入日期: Feb 2015
文章: 1,456
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台積電N3不是沒人用
是更新的N3E已經研發出來 大家要下新製程的訂單.在功耗與性能上有更大的進步 台積電今日法說會對先進製程發展表示 除了 N3 進度符合預期，具良好良率本季稍後量產，且 HPC 和智慧手機應用驅動下 預期 2023 年平穩量產。 N3E 開發進度較提前，2023 下半年即量產。 儘管庫存調整持續，觀察 N3 和 N3E 皆有許多客戶下訂 量產第一年和第二年產品設計定案數量是 N5 兩倍以上。 中國微博流傳一張疑似台積電內部投影片，顯示N3E製程進展良好 N3E SRAM的良率明顯高於N3 顯示256Mb SRAM平均良率約80% 行動與高效能運算（HPC）邏輯測試晶片的平均良率也接近80% 而良率驗證的環形振盪器（R.O）則超過92%。 N3E製程進展良好的消息，稱台積電以改良過的製程視窗（Process Window）設計N3E，電晶體密度略低，這自然帶來更高的良率 報導同時指出，N3E還有更快的時脈速度及更少的耗電量。 此文章於 2022-11-06 11:14 AM 被 老老濕 編輯. |
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2022-11-06, 11:12 AM
#9
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Power Member
加入日期: Mar 2008
文章: 680
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三星不考慮mtk的天璣系列嗎？
天璣應該比自家exynos好，比sd 8gen2便宜 |
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2022-11-06, 11:16 AM
#10
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