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*停權中*
加入日期: Apr 2017
文章: 2,836
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Intel:14nm+++++ AMD:AM4+++++
AMD Zen3+浮出水面：6nm工藝、直面Intel 12代酷睿
https://news.mydrivers.com/1/740/740176.htm 就目前的資料來看，Zen4將是變化非常大的一代架構，包括5nm工藝、AM5接口、Chiplet設計等，不過，可能因為變化較大、同時5nm產能緊張，Zen4也許會延期到2022年。 此前已經有消息爆料過Zen3+的存在，RGT從線人處得知，Zen3+有望提前到今年四季度與大家見面。 Zen3+代號Warhol(沃霍爾)，6nm工藝，對應的銳龍與當前的銳龍5000在核心數設定方面不會有變化，但因為工藝、內核、緩存等一些新的微調，IPC繼續提高(預計幅度不超過兩位數)，可以視為AM4接口的終極續命。 從時間上來看，Zen3+將直面Intel的12代酷睿Alder Lake-S處理器。Alder Lake採用bit.LITTLE大小核設計，目前曝光最多的是一款16核24線程的產品，架構可能是8核Golden Cove+8核Gracemont。 --- 5nm產能據說Apple包下大半，AMD今年能不能分到不太確定 不過要說先用6nm搞Zen3+?除非是從7nm產線升級成6nm 不然哪來的6nm?也有聽說多次改良後的7nm其實已經可以稱做6nm 畢竟隔壁三星連7nm都可以灌水成5nm來騙 我個人認為3000系列末期還推出XT時脈加強版 5000系列的低階都還沒出現，未來出現更高階XT版機率很高 但小改架構變成Zen3+又用上6nm...還真的沒聽說 不過如果真的沿用AM4個人是樂觀其成啦 因為我真的不懂隔壁一直換腳位卻沒提升什麼東西，到底是在換什麼意思?  |
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2021-02-11, 07:27 PM
#1
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Master Member
  
加入日期: Mar 2006 您的住址: On Chip
文章: 2,202
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引用:
對呀，TSMC每一代主節點 (10nm/7nm/5nm) 都有一個最佳化後的子節點，跟主節點是完全相容的 AM4 的 6nm Zen3+ 那不錯耶，我來期待一下...畢竟不想換RAM了 此文章於 2021-02-11 07:46 PM 被 firmware 編輯. |
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2021-02-11, 07:45 PM
#2
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Regular Member
 加入日期: Apr 2011
文章: 99
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簡直佛心來著的
給先上AM4的zen一代使用者可以有第四次升級機會 |
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2021-02-11, 07:51 PM
#3
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*停權中*
加入日期: Apr 2017
文章: 2,836
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引用:
其實AM4一代的板子不一定能支援到現在的5000系列 尤其高階的8~16核對主板供電要求比較高 就算BIOS支援，裝了也可能受功耗限制降頻跑 而且新處理器優勢的PCI-E 4.0也不是舊板能支援 所以能上新板還是上新板比較好 不然速度跟新功能都無法發揮的話，那根本和用舊U沒啥區別 |
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2021-02-11, 08:12 PM
#4
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Golden Member
 
加入日期: Apr 2017 您的住址: 陣亡者的靈堂
文章: 3,182
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三星5nm的電晶體密度比GG 6nm高
難道要說5.9nm  
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2021-02-11, 08:28 PM
#5
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Power Member
加入日期: May 2018
文章: 639
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主機板越來越貴的原因，用料越來越好，即使散熱不好，溫度已經不是問題了，不容易壞掉的原因
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2021-02-12, 12:17 AM
#6
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*停權中*
加入日期: Apr 2017
文章: 2,836
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引用:
電晶體密度很多區塊是不同的 很難跨廠直接比較單一數據就說密度高的一定好 --- https://www.eet-china.com/news/202011130931.html 三星5LPE相對於7LPP工藝來說，算是個1/4代工藝——這一點就與台積電N5很不一樣（三星路線圖中，7LPP、6LPP、5LPE、4LPE都屬於一代內的進化，而下一代工藝應該是3GAE），或者說三星7LPP->5LPE的躍進幅度遠沒有台積電N7->N5那麼大。其標准單元庫的晶體管密度提升1.3倍。 實際上，5LPE工藝晶體管的fin pitch、gate pitch、metal各層間距基本上都沒什麼變化。從Wikichip的數據來看，5LPE的UHD（超高密度，54PP）單元庫密度在126.89 MTr/mm²（HD單元庫密度91.36 MTr/mm²）[2]。 如果一定要對比的話，台積電N5工藝的超高密度庫晶體管密度在171.3 MTr/mm²，相比N7的密度推進為1.84倍[3]。當然，我在《為什麼說Intel的10nm工藝比別家7nm更先進？（上）》一文中就提到過，晶體管密度的計量方法有差異，而且晶體管在芯片上也不是均勻分佈的，以及即便是同代工藝的不同單元庫的密度也不一樣，所以不同廠商的晶體管密度數字實則並不應該直接比較。 --- 三星5nm的S888目前實測 拿來跟台積電7nm比較相同的CPU核心、相同GPU 不管是性能還是功耗，可以說表現相似 --- https://news.mydrivers.com/1/740/740200.htm 先是有驍龍888不如驍龍865超頻的暴論，而後又有A站嚴謹的測試，表示驍龍888採用的三星5nm工藝在能效比上與台積電7nm工藝基本相同，考慮到驍龍888和驍龍865的GPU基本只有頻率不同，這更是為其遊戲性能的高低增添了許多疑慮。 測試遊戲為《原神》，二者均採用相同的畫面設置，遊戲15分鐘。 通過幀率曲線不難發現，在前8分鐘，驍龍888和驍龍865基本相似，可以穩定維持60幀運行，可是隨著時間的推移，驍龍888反而出現了多次降頻導致的幀率波動，幅度遠大於超頻後的驍龍865，結果自然是在平均幀率上不敵小米10超頻版。 從結果來看，小米11較弱的散熱依然是拖累驍龍888表現得一大問題。畢竟和小米10相比，小米11上缺少大面積均熱板，因此在較長時間遊戲時發熱難以避免，自然更容易出現過熱降頻的情況。 總的來看，目前驍龍888和驍龍865超頻版相比，在實際遊戲測試中是暫時落後的。 --- 這道理就如同Intel初代10nm確實密度高於14nm++ 但性能功耗都被屌打，要來何用? 所謂14nm+、14nm++就是優化同製程下的各方面表現 因為密度提升的同時也會帶來很多副作用 不處理掉副作用就無法帶來理論上的製程紅利 換句話說，製程提升除了追求電晶體密度提升 也要顧慮性能跟功耗是否能反應出來，還要想辦法維持高良率 此文章於 2021-02-12 07:30 AM 被 aya0091 編輯. |
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2021-02-12, 07:04 AM
#7
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Golden Member
加入日期: Apr 2017 您的住址: 陣亡者的靈堂
文章: 3,182
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引用:
那Intel初代10nm 是不是要算成18nm? |
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2021-02-12, 08:32 AM
#8
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Golden Member
加入日期: Aug 2004 您的住址: 「 」
文章: 2,516
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引用:
當然也不能這樣算，只能說初代10nm製程有可能存在某些較致命的缺陷，導致一同初戰的i3 8121u跟著重摔了一把，後來也是悄悄退市，甚至沒啥看過intel多宣傳過這顆，連媒體都草草用試水帶過 即使後頭超級鰭的改良版，那個也不能說是10nm以外的製程，intel也只是用+.++之類的標示簡單讓人覺得這是改良版，密度資訊早就很少再講的很詳細 目前intel的首要目標是提升良率跟產能，過往自豪的製程領先優勢宣揚雖然部分口吻還在，但有些指標資訊公開上明顯保守起來，誰也看的出在閃躲啥不利的部分
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ぶ(∀ﾟ )人(ﾟ∀ﾟ  人( ﾟ∀人(∀ﾟ )人(ﾟ∀ﾟ人( ﾟ∀ﾉ(↑一個因為疫情影響導致工作超閒不知做啥好的傢伙↑) |
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2021-02-12, 08:53 AM
#9
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