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19971984
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加入日期: Feb 2005
文章: 2,380
引用:
作者jyb999888
我怎覺得看這均速,你不打算看一下顆粒嗎?
如果4CE 512G的TLC,再怎樣也要破百寫入。
只有QLC大約50。
創見的920,容量才一半,都是它一倍速度了。很好奇它用的顆粒。

你要不要測看看,不用拆,用程式看下(點SCAN):
http://www.usbdev.ru/?wpfb_dl=9422

這樣看嗎?
https://www.mobile01.com/topicdetai...f=492&t=5668869
冠元的小編說的(不知有沒有包含512GB的,256GB以下都官方都標寫入是100MB/s寫入,512GB的是150MB/s寫入)
主控特點如下:
1.雙通道設計 , 讓速度更快更穩定 (一般都為單通道設計)
2.主控設計支援DDR2, Read SPEC 400MB/S (一般主控為DDR 150MB/S)
3.最大主控系統空間,能使記憶體更加穩定相容性更高
4.容錯機制採用Dual ECC設計 , 資料保護更加穩固

舊 2021-03-05, 03:02 AM #3045
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