先前自費購買Seagate FireCuda 530 2TB後，很榮幸參加Seagtate
FireCuda 530 SSD 4TB版的體驗測試。
重新溫習一下Seagate SSD系列的產品線，目前最新的是FireCuda 530
系列，比別人E18主控同級品的保固TWB相對增加不少。除此之外，循序
讀寫的速率也比一般的E18主控SSD快了一些，加上提供資料救援，應該
目前沒有那家SSD廠商敢推出SSD資料救援服務。
4TB版本與2TB版本，除了TBW保固值多了一倍外，值得留意的是其耗電量
也比2TB版高些，也是這次除了內接測試，也額外加上外接測試的原因之
一。畢竟4TB版容量也不小，也有些人會拿來想外接當資料碟使用。
以下利用手機簡單拍照，若有傷眼處，敬請見諒。
外紙盒延用FireCuda 520紅黑配色系，左上方歸屬於Seagate Gaming系
列，右上方標示產品容量外，也加上了資料救援服務的標籤。
外紙盒背面十國文字規格敘述，製造日期為2021年七月。與其它多數採
E18主控SSD不同的是，產地不是MIT，而是移回Seagate生產基地-泰國。
外紙盒側標再度簡述基本規格、保固條件及資料救援服務等。
開箱了，內盒仍採取透明盒，透明盒有造型設計，我還是比較喜歡三星
SSD內包裝的質感。SSD裝在靜電袋內，為不可復原式包裝，
除了SSD本體外，附上保固說明、資料救援服務說明及兩組FireCuda貼紙。
SSD主控面貼上品牌貼紙，還是一樣露出一顆3D TLC NAND。
SSD非主控面貼上產品型號資料貼紙，也不是完全包覆。與Samsung或WD
不同的是，仍維持雙面顆粒，無法作到單面式。
將SSD主控面的貼紙移除，SSD主控面的配置，與通用型E18主控SSD最大
的差異是主控改擺在中間，3D TLC NAND 反而擺在外側，SSD背面也是類
似的陳列。
SSD主控型號為STXZY01049E0，與一般Phison PS5018-E18主控不同的是
屬於特別訂製版，旁邊則是與一般E18一樣的電源控制IC等。
主控旁邊就是快取記憶體，採用SKhynix H5AN8G6NCJ (DDR4-2666)，單
顆容量為1GB，正反各一顆，提供2GB快取記憶體輔助。
TLC NAND為美光 176-layer 3D TLC，單顆容量512GB，正反面各配置4
顆，共組成為4TB容量。
開箱結束，上機去。
測試環境簡述:
M/B: ASUS MAXIMUS XIII Hero BIOS 0902
CPU: i7-11700K oc 5.0G
RAM: GSkill DDR4-3000 8G*4
OS SSD: Samsung 980 PRO 2TB
測試碟: Seagate FireCuda 530 4TB (11th CPU通道M.2插槽)
Thunderbolt 3外接盒：Axisplus AP-TB3 (Intel JHL6340)
USB 3.2 Gen2x2 外接盒：銀欣 Silver Stone SST-MS12 (asmedia ASM2364)
Thunderbolt 4主控: ASUS MAXIMUS XIII Hero 內建Intel JHL8540
USB 3.2 Gen2x2 主控：Intel Z590
OS: Windows 10 Enterprise 21H1 64-bit
Driver: Windows Defaut NVMe Driver
透過Crystal Diskinfo，Z590內接下支援NVMe Express 1.4協定，傳輸
模式為PCIe 4.0 x4，剛上機溫度為攝氏28度。
在Thunderbolt 3環境，透過Crystal Diskinfo觀察，傳輸模式降至
PCIe 3.0 x4，剛上機溫度為攝氏24度。
在USB 3.2 Gen2x2環境，透過Crystal Diskinfo觀察，傳輸模式支援
UASP，剛上機溫度為攝氏26度。
藉由M13H主機板上的散熱裝置，Z590內接連續高負載測試中的最高溫
度攝氏為67度。
部分主機板內建散熱不佳時，一旦為70度以上的過熱狀態，測試軟體會異常。
Thunderbolt 3外接盒下連續高負載測試的最高溫度為攝氏53度。
USB 3.2 Gen2x2外接盒下連續高負載測試的最高溫度為攝氏64度。
AIDA64 Read Test Suite，設定檔案容量為1MB及8MB測試。
Z590內接：隨機讀取速率約4943~5427MB/s。
TB3外接：隨機讀取速率約2019~2424MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：隨機讀取速率約1462~1830MB/s。
AIDA64 線性讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
Z590內接：線性讀取曲線整體還算穩定，平均讀取速率5463MB/s；線性
寫入曲線初期都算平穩，容量值約37%後大幅下滑，之後多於993~1520MB/s
間游走到最後才又突然小跳起，平均寫入速率3053MB/s。
TB3外接：線性讀取曲線算穩定，平均讀取速率2411MB/s；線性寫入測試
出現過熱情況，測試幾次都一樣會熱當離線而無法完成測試。
USB 3.2 Gen2x2外接：線性讀取曲線規率性起伏，平均讀取速率1635MB/s；
線性寫入測試在容量值35%前都還算穩定，但之後因過熱因素，出現大幅
波動，幸運的是至少沒熱當離線，平均寫入速率降到剩1125MB/s。
AIDA64 隨機讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
Z590內接：隨機讀取曲線整體還算穩定，平均讀取速率5455MB/s；隨機
寫入曲線抖動的幅度明顯高於讀取測試，平均寫入速率3104MB/s。
TB3外接：隨機讀取曲線到末端出現大抖動，平均讀取速率2392MB/s；
隨機寫入一度過熱離線無法完成測試。經冷氣降溫及電風扇直吹後，終
於完成測試，平均寫入速率2390MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：隨機讀取曲線呈現不規則性大波動，平均讀取速
率1668MB/s；隨機寫入曲線一樣起伏不小，平均寫入速率1414MB/s。
AJA 設定影片格式為3840*2160 4K RED HD解析度，編碼為16bit RGB，從
256MB~64GB全測一輪，抓取幾項結果。
Z590內接：讀取速率5908~5934MB/s、寫入速率5857~6119MB/s。
TB3外接：讀取速率2552~2563MB/s、寫入速率2489~2563MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：讀取速率1816~1876MB/s、寫入速率781~1773MB/s。
Anvil's Storage Utilities分別設為Compress 0Fill或Compress 100%
(Incompressible模式)，測試皆勾選Write-Thru選項，從1GB~32GB全測
一輪，抓取幾項結果呈現。
Compress 0Fill 模式：為Phison系列主控的優點呈現處。
Z590內接：循序讀寫均未達標，一掃之前2TB版在X570下的4KQD4或
4KQD16較弱的情況，Z590平台下得到的數值幾乎創新高，優於公版的E18
主控SSD。
TB3外接：循序讀取或寫入速率多不超過2300MB/s。
Compress 100% 模式：為Phison系列主控的弱點處。
Z590內接：循序讀寫仍未達標，與其它E18主控在Z590平台相比後，效能
分數也明顯提升。
TB3外接：循序讀取或寫入速率多不超過2300MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：循序讀取或寫入速率多不超過1800MB/s。
AS SSD分別設定檔案大小為1GB及10GB，並測試Copy 及Compress Benchmark。
1GB容量
Z590內接：循序讀寫速率5844及5638 MB/s；4K QD64讀取890,907 iops，
4K QD64寫入1,046,554 iops。
TB3外接：循序讀寫速率2509及2384 MB/s；4K QD64讀取312,020 iops，
4K QD64寫入307,455 iops。
USB 3.2 Gen2x2外接：循序讀寫速率1838及1365 MB/s；4K QD64讀取
55,479 iops，4K QD64寫入66,140 iops。
10GB容量
Z590內接：循序讀寫速率5843及5731 MB/s；4K QD64讀取626,565 iops，
4K QD64寫入1,101,006 iops。
Copy Benchmark 測試項目
1GB容量
Z590內接：ISO讀取速率2678MB/s、程式載入速率1647MB/s。
TB3外接：ISO讀取速率2471MB/s、程式載入速率81MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：ISO讀取速率1665MB/s、程式載入速率1546MB/s。
10GB容量
Z590內接：ISO讀取速率3139MB/s、程式載入速率1709MB/s。
Compress Benchmark 測試項目
1GB的讀寫曲線。
Z590內接：
TB3外接：
USB 3.2 Gen2x2外接：
10GB的讀寫曲線。
Z590內接：10GB的寫入曲線比1GB容量環境下穩定些。
ATTO Diskbenchmark設定檔案長度為64K、64MB、256MB、512MB、1GB、
2GB、4GB及32GB，測試模式設定為Overlapped I/O、0Fill及Random模
式進行測試。
Overlapped I/O，佇列深度4 (QD4)模式
Z590內接：讀取速率最快6.54GB/s、寫入速率最快6.34GB/s，大檔寫入不掉速。
TB3外接：讀取速率最快2.70GB/s、寫入速率最快2.59GB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：讀取速率最快1.91GB/s、寫入速率最快1.86GB/s。
0-Fill模式，佇列深度1 (QD1)模式
Z590內接：讀取速率最快4.32GB/s、寫入速率最快5.90GB/s，32GB容量
測試中讀取速率略有小降。
Random模式
Z590內接：讀取速率最快4.22GB/s、寫入速率最快5.90GB/s，32GB容量
測試中讀取速率略有小降。
Crystal Diskmark v8.0.4挑選NVMe模式，分別測試Random及0Fill資料
型態，測試64MiB、512MiB、1GiB、2Gib、4GiB、8GiB、16GiB及64GiB。
Default (Random)型態：
Z590內接：不論是Seq Q8T1或Seq 128K Q32T1的循序讀/寫速率都無法
超越官方標示值，X570平台測試也不行。各種隨機4K讀寫，Z590平台都
比X570平台快上不少。
TB3外接：不論是Seq Q8T1或Seq 128K Q32T1的循序讀/寫速率最快分別
約2884/2774MB/s。
USB 3.2 Gen2x2外接：不論是Seq Q8T1或Seq 128K Q32T1的循序讀/寫速
率最快分別約1994/1980MB/s。
0Fill型態：
Z590內接：不論是Seq Q8T1或是Seq 128K Q32T1的循序讀/寫速率都無
法超越官方標示值7300/6900MB/s，自己另外在X570平台上測試時，循
序讀取速率約7400MB/s,寫入速率逼近6900MB/s。各種隨機4K讀寫，Z590
平台都比X570平台快上不少。
未完待續，隨後補上