在底下看到一篇評論，不明覺厲...

@samtsou
@samtsou
7 hours ago
這是我再去年10月就已經提出的NIL問題看法
有關UV-NIL奈米轉壓印技術已經發展一段時間了，就在曝光機被ASML打敗後，日本更是在這技術上投入心力，希望能藉此技術另闢途徑東山再起，包括這次美日2nm合作計畫中，日本這項技術參與的機會也非常之大。這項技術本身就具有許多難以克服的問題，自己初步歸納如下:

1. 產能追不上曝光機，不管你是用滾輪式或是單片壓都一樣

2. 平壓時的壓力分佈不均，晶圓與母模兩者水平面平行性，以及晶圓表面平坦度問題

3. 母模製作對高縱深比(Aspec Ratio)微細溝槽蝕刻時，兩邊垂直面易產生貝殼扇面紋路，導致與光阻沾黏，同時槽頂與槽底的寬度差難控制到相同，不要忘記他是用石英材質，不是一般的半導體用的矽材質。

4. 拔模及曝光時會減損母模抗沾黏薄層壽命，你還沒法當場檢查出來，只能固定片數後換母模，浪費母模增加成本。

5. 母模有瑕疵很難檢查出來，一上線或是使用一段時間，後面印出來就會印出是一大堆廢品，而且是重複發生相同的瑕疵。

6. 曝光後拔模極易產生Teeth Edge瑕疵。

7. 每一層曝光都要換成母模壓印，那麼5nm就需要20個以上不同母模，且每個母模使用壽命又遠低於光罩，成本會拉到極高。

8. 每次經過沉積，CMP後，晶圓的平坦與厚度會變化，母模壓上去就會出問題，越往後層數越多，問題也會跟著增多。

9. 抗光組沾黏層材料使用壽命有限，你是印沒多少片就要換下來的，結果就是，以5nm製程舉例，你就需要至少超過50個母模再備著使用，甚至更多，真是有錢沒地方花嗎?

11. 針對第8項，你是要如何控制Overlay精度? 機台本身抓了一個母模壓在晶圓上，這機台的Overlay精度控制要比曝光機難上加難，現在新一代曝光機的Overlay精度是只要找出晶圓及Die位置後再作曝光位置精度補償，就已經被要求做到2nm。 你還多出來一個抓在天上的母模位置誤差，能作到2nm以內的Overlay Error?

12. 在晶圓片上四週會有Primary Mark，在每個Die之間會有不同圖型的Street Mark，作為曝光位置與機台間的補償對位，要UV-NIL是每次一片Die來印，就沒問題，但是要一次同時印多個Die就絕對完蛋，所以產能會輸曝光機。

13. 任何UV光阻劑在曝光後都會有Photo Resist Contrast現象，光阻劑會急速收縮體積，這就會產生向側邊牆的應力出現，後面導致Line的邊緣變的不平整。


以上問題都解決了嗎?