台積電N3不是沒人用

是更新的N3E已經研發出來
大家要下新製程的訂單.在功耗與性能上有更大的進步

台積電今日法說會對先進製程發展表示
除了 N3 進度符合預期，具良好良率本季稍後量產，且 HPC 和智慧手機應用驅動下
預期 2023 年平穩量產。

N3E 開發進度較提前，2023 下半年即量產。
儘管庫存調整持續，觀察 N3 和 N3E 皆有許多客戶下訂
量產第一年和第二年產品設計定案數量是 N5 兩倍以上。


中國微博流傳一張疑似台積電內部投影片，顯示N3E製程進展良好
N3E SRAM的良率明顯高於N3
顯示256Mb SRAM平均良率約80%
行動與高效能運算（HPC）邏輯測試晶片的平均良率也接近80%
而良率驗證的環形振盪器（R.O）則超過92%。

N3E製程進展良好的消息，稱台積電以改良過的製程視窗（Process Window）設計N3E，電晶體密度略低，這自然帶來更高的良率
報導同時指出，N3E還有更快的時脈速度及更少的耗電量。