flash memory...溫度越高，資料越快不見，
然後讀也是會讓cell裡面的電位跑掉，
所以主控會固定讀幾次(看顆粒種類而定)之後重新把那個區塊整個讀取出來，
重寫到別的區塊，再把整個區塊抹除。
然後...SLC最耐放，早期的記憶卡(幾MB~幾百MB要價幾千元的時代)，
因為每一個cell只放一個bit的資料，
電位只要不降到那個導致發生錯誤的閾值(1導致變0)，就能被主控讀出正確資料。
近期的QLC則是1個cell放4bit資料，在同一cell之中的電子電位會有16種變化，
可想而知那閾值會降得很低.....