第三代半導體
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GaN(氮化鎵)與SiC(碳化矽)這兩種寬能隙(wide band gap)半導體被稱為第三代半導體，因具有更好的物理和化學特性，且擁有高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性，使晶片面積可大幅縮小，簡化周邊電路設計。第三代半導體比傳統半導體材料矽(Si)的帶隙要寬的多，能隙是決定半導體的崩潰電場，即能承受的電壓，帶隙越寬的材料越能耐高電壓、高電流。第三代半導體是5G、電動車、高功率應用(如快速充電)、雷達等重要關鍵元件。

半導體第一代材料是矽(Si)，矽的帶隙寬約是1.17 eV；第二代材料是砷化鎵(GaAs)，是現今絕大部分通信設備的材料；第三代材料是指帶隙寬在2.3eV及以上的半導體材料。SiC的帶隙寬為3.26 eV，GaN的為3.5eV，因此成為功率或射頻元件的新材料。

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上面這個不一定是取代矽晶片，但未來依然有取代矽晶片的新技術可能