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明彥
Junior Member
 

加入日期: Mar 2007
文章: 992
引用:
作者wwchen
依照現行各公司, 包含日本公司發表過的技術報告,
3D 封裝的定義愈趨一致, 主要的是有能力量產的說了就算.

有看到嗎? 邏輯 die + DRAM 上下堆疊是目前 3D IC 的做法.
光是幾層 DRAM 透過 TSV 方式上下堆疊還不是 3D 封裝.

前年吧! GG 發表了世上第一顆 3D IC, 就是那一次, GG 公開放話,
說 DRAM 廠如果不行的話要自己來. 理由就是 DRAM 功耗過大,
把 3D 封裝所做的努力得到的好處全吃光.


A14及LPDDR5的整合扇出型層疊封裝(InFO_PoP)由台積電負責生產。
DRAM die 和 邏輯 die, 各走各的, 透過底下.

這樣說有看懂了吧!


大概有點看懂 2.5D跟3D的差別就是
3D是真正不同功能的IC 如CPU GPU 記憶體 上下疊在一起
2.5D基本上 CPU 記憶體 控制器只是一起放在基板上
頂多記憶體下方墊個比較低溫的IC

如果3D封裝可以更加提升的話
那多核心模組化後也可以向上疊 以垂直堆疊方式翻倍增加核心
 
舊 2021-04-04, 07:48 PM #142
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