10nm以下最好能想出啥鬼方法

之前就是各家導入euv初代跟沒導入前強上全摔得七暈八素，才會後頭變成intel等量產改良版euv機，duv卡在10nm，三星本要硬衝一波結果暴斃，然後乖乖每年多少先買一些，tsmc試過後放小步跨，但每年還是會買很多台，跟asml一起邊做邊改

這三家duv實質都卡在差不多的製程極限上，後續euv進度的差異則是差別在手頭有多少euv機台

至去年止intel手上的euv機台最少僅有全球euv機台數量得1成多，所以他想讓更先進製程放量才做不到，只能先在10nm上作逐步做改良跟放寬密度去改善金屬層性能跟良率，同時期tsmc已經手邊握有全球5成的euv機台，euv晶圓產出量佔全球6成

後續tsmc依然幾乎每年都會採購約asml euv機台年產能的一半，剩下另一半則是三星.intel跟其他開始邁入euv製程的晶圓廠在搶，但正因為各廠都需要euv機台在新製程上使用，反而比前幾年更難拿到分配額度

所以全球各廠新製程產出幾乎都是近期才陸續少量放產，不然就是像intel一樣要等到明後年才能放量，因為euv機台就不夠用得累積機台(產能)

tsmc外唯一比較跟得上euv產品產能的也就僅次於tsmc，手邊握有全球3成euv機台的三星而已