電晶體密度很多區塊是不同的

很難跨廠直接比較單一數據就說密度高的一定好

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https://www.eet-china.com/news/202011130931.html

三星5LPE相對於7LPP工藝來說，算是個1/4代工藝——這一點就與台積電N5很不一樣（三星路線圖中，7LPP、6LPP、5LPE、4LPE都屬於一代內的進化，而下一代工藝應該是3GAE），或者說三星7LPP->5LPE的躍進幅度遠沒有台積電N7->N5那麼大。其標准單元庫的晶體管密度提升1.3倍。

實際上，5LPE工藝晶體管的fin pitch、gate pitch、metal各層間距基本上都沒什麼變化。從Wikichip的數據來看，5LPE的UHD（超高密度，54PP）單元庫密度在126.89 MTr/mm²（HD單元庫密度91.36 MTr/mm²）[2]。

如果一定要對比的話，台積電N5工藝的超高密度庫晶體管密度在171.3 MTr/mm²，相比N7的密度推進為1.84倍[3]。當然，我在《為什麼說Intel的10nm工藝比別家7nm更先進？（上）》一文中就提到過，晶體管密度的計量方法有差異，而且晶體管在芯片上也不是均勻分佈的，以及即便是同代工藝的不同單元庫的密度也不一樣，所以不同廠商的晶體管密度數字實則並不應該直接比較。

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三星5nm的S888目前實測

拿來跟台積電7nm比較相同的CPU核心、相同GPU

不管是性能還是功耗，可以說表現相似

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https://news.mydrivers.com/1/740/740200.htm

先是有驍龍888不如驍龍865超頻的暴論，而後又有A站嚴謹的測試，表示驍龍888採用的三星5nm工藝在能效比上與台積電7nm工藝基本相同，考慮到驍龍888和驍龍865的GPU基本只有頻率不同，這更是為其遊戲性能的高低增添了許多疑慮。

測試遊戲為《原神》，二者均採用相同的畫面設置，遊戲15分鐘。

通過幀率曲線不難發現，在前8分鐘，驍龍888和驍龍865基本相似，可以穩定維持60幀運行，可是隨著時間的推移，驍龍888反而出現了多次降頻導致的幀率波動，幅度遠大於超頻後的驍龍865，結果自然是在平均幀率上不敵小米10超頻版。

從結果來看，小米11較弱的散熱依然是拖累驍龍888表現得一大問題。畢竟和小米10相比，小米11上缺少大面積均熱板，因此在較長時間遊戲時發熱難以避免，自然更容易出現過熱降頻的情況。

總的來看，目前驍龍888和驍龍865超頻版相比，在實際遊戲測試中是暫時落後的。

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這道理就如同Intel初代10nm確實密度高於14nm++

但性能功耗都被屌打，要來何用?

所謂14nm+、14nm++就是優化同製程下的各方面表現

因為密度提升的同時也會帶來很多副作用

不處理掉副作用就無法帶來理論上的製程紅利

換句話說，製程提升除了追求電晶體密度提升

也要顧慮性能跟功耗是否能反應出來，還要想辦法維持高良率