大陸記憶體壟斷調查　轉至NAND Flash　 疑施壓南韓業者停止訴訟換取免罰

大陸政府當局最近似乎開始加強力道，對南韓半導體業者進行施壓。
大陸業界最近傳出消息，指關於DRAM三巨頭的反壟斷調查，已從DRAM價格壟斷，
轉向NAND Flash捆綁銷售。傳大陸當局打算以此為由祭罰，業者不繳罰金的交換條件，將是停止或中斷對大陸半導體業者的專利侵權訴訟，傳南韓業界已感受到巨大壓力。

韓媒韓國經濟引述大陸半導體業界消息，指先前大陸反壟斷局針對DRAM三大業者，
三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調查，
最近調查已告一段落，大陸當局正在討論相關懲戒方案。

據了解，大陸當局對三大DRAM業者並非以壟斷DRAM價格，
而是以NAND Flash捆綁銷售嫌疑進行調查，
認定三大業者向華為等大陸手機業者出貨DRAM的同時，
強迫大陸業者購買一定數量的NAND Flash。
大陸傳將對業者課徵數十億美元罰金，但可提出協商條件，
業者可用中止或不對大陸半導體業者提出專利侵權訴訟，換取免繳罰金。

2018年5月起，大陸反壟斷局針對三星、SK海力士及美光等三家業者展開反壟斷行為調查，
主因在於大陸手機業者不滿DRAM供給不足，且價格持續上升。
11月中旬，大陸反壟斷局高層對外表示，
針對三星、SK海力士及美光的反壟斷調查取得重大進展，掌握大量證據。

其實早在2017年底~2018年初，大陸國家發展改革委員會，傳曾經找來三星高層，
表達應對DRAM價格上升自制、優先供貨DRAM予大陸業者，
以及中斷對大陸半導體企業的專利訴訟。

2018年下半DRAM價格走勢疲弱，大陸當局關心的焦點漸漸轉至專利侵權訴訟。
為了加速大陸半導體產業的崛起，大陸當局轉而要求半導體先進企業，
中斷對大陸企業提出專利侵權訴訟，並且期許這些業者，
往後不要再對大陸業者提出訴訟，交換條件是免除數十億美元的罰金。

另一方面，DRAM三巨頭除了美光為美國企業，
另兩家業者三星、SK海力士皆為南韓企業，
目前美中貿易戰如火如荼展開，一旦大陸當局對美光課以巨額罰金，
恐遭美國予以反擊報復，這或許也是大陸當局，提出交換條件的背景之一。

南韓業界多認為，停止專利侵權訴訟的要求似乎針對南韓半導體產業而來，
大陸對南韓半導體產業已開始加大施壓力道。此外，大陸調查與開罰的理由，
從原先的DRAM價格壟斷轉至NAND Flash捆綁銷售，其實也可能與當前市場情勢有關。

2000年之後DRAM市場經歷多次膽小鬼賽局，
之後逐漸確立三星、SK海力士及美光三巨頭寡佔局面，
如以2018年第3季為基準，三家業者合計市佔率高達95%，
兩大南韓業者三星、SK海力士，合計市佔率更是超過70%以上。

反觀NAND Flash市場，目前由三星、東芝(Toshiba)、威騰(WD)、英特爾(Intel)、美光及SK海力士等眾業者割據，
主要業者皆積極增設3D NAND產能，預料不出幾年後，將有1~2家業者退出市場，
由於NAND Flash價格不斷下滑，為了在競爭激烈的市場中確保市佔率，
DRAM業者也因此祭出了捆綁銷售策略。