作者Reich 唐

記憶體效能除了時脈以外，還有內部的遲延(latency)與位元寬（Bandwidth）兩個因素，外部的記憶體控制器，對性能都影響很大。

遲延就是CL那些參數，位元寬可以理解成單通道64-bit，雙通道-128bit，四通道256-bit。記憶體控制器目前主流處理器都做在CPU上，但不同CPU間的性能也有差異，所以都跑DDR4-3000，不同CPU跑出來的頻寬會有差異。記憶體控制器與記憶體間的溝通，也會受到主機板layout的影響。

所以這種測試很容易動手腳，動記憶體端就可以，高速記憶體配上高遲延與低位元寬，性能會比低速記憶體但配上低遲延與高頻寬還要慘。

例如我都插2條16GB記憶體，一個故意插單通道，DDR4-3000跑CL25，其他遲延也調高，一個插雙通道跑DDR4-2133 CL13，其他遲延也調低，那測出來可能2133比3000快，但外觀根本看不出來。

反之，高速記憶體配高位元寬低遲延，測試會更拉開跟低速記憶體配低位元寬高遲延的...