中國突破半導體新工藝研發

日前，中國科學院微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt矽化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏（MSD），顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。

基於本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會（IEDM）接收，並在IEDM的關鍵分會場之一——矽基先導CMOS 工藝和制造技術（PMT）上，由微電子所的張青竹做了學術報告，並得到IBM和意法半導體技術專家的贊揚和認可。

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