製程這問題 自從看到這類似報導 就抱持懷疑態度

臺積電10nm工藝只等於英特爾12nm
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這位分析師的問題，首度將困擾業界、媒體多時的半導體工藝“魔術數字”問題，提到公開場合。他暗示，臺積電尚未量產的7納米與英特爾的10納米工藝，屬於同一個技術世代，因此可以相提並論。

若乾臺積電客戶認同此說法。他們也指出，臺積電目前量產的最尖端工藝──獨吃蘋果A10處理器的16納米工藝，僅相當於英特爾的20納米工藝。

不到一個月前，有記者當面詢問臺積電大客戶、世界最大IC設計公司高通首席技術官葛羅布(Matt Grob)這個問題。他毫不遲疑的大聲說“沒錯!(YES)”。

不只臺積電，三星與格羅方德的工藝數字都經過不同程度的“美化”。“這些晶圓代工業者都想辦法把數字弄得愈小愈好，”葛羅布說。

他表示，結果是讓業界“非常非常困擾。”即使是高通內部的會議簡報，都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術數字，而必須經過換算。“我們要問清楚，這個矽晶圓上到底可以放多少個邏輯電路？”葛羅布說。

一位資深業者透露，聯發科內部也有一套換算方式：臺積電的16納米等於英特爾的20納米、10納米等於英特爾的12納米。接下來未定，但看來“臺積電的7納米，比英特爾的10納米要好一點，”他說。

只不過幾年以前，整個半導體業都跟著龍頭英特爾的腳步亦步亦趨。為什麼會變成現在這種“一個工藝，各自表述”的混亂場面？

一位前臺積高階主管，曾向媒體透露，始作俑者是三星，而時間點則是在整個產業導入全新的鰭式場效應晶體管（FinFET）時，約在2、3年前。

臺積電最早采用FinFET的16納米工藝，原本計劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。因為該工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產的前一代20納米傳統電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。

但客戶向臺積電主管反應，同樣的工藝，三星已搶先命名為“14納米”。如果臺積電真叫“20納米”一定吃悶虧。

臺積電從善如流，不久後改名，但只敢叫16納米。“我們至少有點良心，不敢（像三星）那樣隨便叫，”這位前臺積高層苦笑著。

命名慣例打亂之後，首先延伸出來的問題是，外行人很難搞得清楚，英特爾、臺積電、三星這半導體三雄的技術競賽，究竟誰輸誰贏？