其實你少考慮製程微縮的影響
SLC的P/E cycle 數 100K次是4X nm，MLC在4X nm 大概還在10K上下
當SLC做到 24nm，P/E cycle數大概剩50K次， MLC則大約在5K次上下
再到19/20nm，SLC P/E數會在40K次附近，到15/16nm就更少
而MLC在20nm以下的P/E cycle數基本上都維持在3-4K次之間

TLC 的壽命大概是在 500-600 次附近
若以SLC--> MLC，壽命大概是減少90%
MLC-->TLC，壽命的減幅也差不多是70-80%
只是MLC本來P/E數就少，看起來好像沒差多少
TLC-->QLC若也是差不多的減少幅度，那P/E數差不多就100次附近

再來就世ECC的功能，NAND在4X nm 以下就必需要ECC的功能
ECC的數量在SLC上很少，Toshiba的24nm SLC 需要8bit ECC
相同製程的MLC需要24bit ECC
TLC則大概要70bit ECC
ECC數量牽扯到讀寫速度以及cell size
QLC預估ECC可能要到2-300bit的等級吧

未來QLC或許會真的出現，但是在目前的技術下可能經濟效益上還比不上TLC
這只能等這些大廠研發出新技術了。