引用:
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作者lzarconlony1
抗議 為什麼新北市只能當DRAM這種慘業 
3D IC真的很多種實現方式 不一定要TSV
個人看好Intel & Samsung的做法
基礎結構上進行3D化 而不是只靠堆疊這種無甚創意的招 |
高見 高見
FinFET不是intel發明的
至於TSV intel則挑戰失敗 停留在實驗性質的階段
3D Nand Flash業界第一個實現48層堆疊是東芝/SanDisk
但是東芝即使有3D Nand 另外也在開發TSV堆疊
TSV貫通接點的優點 可不是「紙箱攤平」的堆疊能達到的
紙箱攤平是有點抽象化 不過這就是所謂3D結構的現狀
東芝、世界初のTSVによる1チップ256GBのNANDフラッシュ
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