引用:
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作者lzarconlony1
抗議 為什麼新北市只能當DRAM這種慘業 
3D IC真的很多種實現方式 不一定要TSV
個人看好Intel & Samsung的做法
基礎結構上進行3D化 而不是只靠堆疊這種無甚創意的招 |
哈，DRAM好的時候可比NAND賺的多呀
從基礎結構3D化有一定的難度
尤其是要做到夠多層(EX:101大樓這樣)，製程的難度真的是飛上天了
比方說三爽的3D V-NAND，目前可以做到48層堆疊
但是你很快就會看到再往上到64層會開始拉長時程，沒有以往那麼順利了。
堆疊其實是一種相對便宜的作法，兩顆包一起容量就兩倍