作者hareluya6510

大家都在講3D，其實很多3D有根本上的不同

用房子來做比喻的話，假設一顆Die = 一個台北市
那每一棟房子就是一個Cell
一般的2D 晶圓指的是一整個台北市都是一樓平房

FinFET我找不到適合的建築物比喻，可能可以類比大概是樓中樓的感覺
3D X point memory 是整個台北市都是二樓的房子
3D NAND則是整個台北都是101大樓

toshiba BiCS屬於 3D NAND的架構
SLC/MLC/TLC/QLC對應的是每一單位房屋能住的人數為1/2/3/4
Floating gate 做到TLC已經是極限
能做QLC的得改用Charge trapping
這部份的區別是住在房子裡的人怎麼被保留在房子裡的方法

TSV 叫做空中都市，就是台北市的上面堆疊N個台北市
然後用一個通道打穿N個台北市
這種堆疊N個台北市的才叫3D IC
至於3D IC不會只能堆疊台北市(NAND)，他已可以堆疊新北市(DRAM)
一般常見的NAND 就會有 2CE/4CE