作者wwchen

我的意思是: 所謂的 HBM 是透過 3D 封裝技術, 並不是啥新鮮
東西. 而完成的必要技術是 TSV. 老實說: 我會用 3D pakage
統稱之. 所以, 也沒有什麼 NV 不能做滴!

還有 Hi bandwith memory 不一定要靠堆疊, 用設計即可.
一切是以成本考量. 目前用 2.5D 封裝是比較合成本.
而且, 記憶體也即將由 20nm 進化至 10nm(2020 年前),
單位 die size 可塞入更多電晶體.
AMD 的圖示顯示為 3D 封裝, 真有這必要嗎?

別忘了, 這幾年 16nm, 10nm, 7nm 的進化相當快速.
回應樓上說散熱問題: 就是工藝進化能解決, 並非無解,
是比較難解而已.

我的擔憂反而是 TSV 的製造技術是否能夠耐得住大量生產!?
穩定度有待考驗. 架構要設計有許多大廠都會, 但製造技術才是
關鍵. 可以設計成圓球形的建築沒錯, 但工程公司的技藝如何,
才重要.