http://pc.watch.impress.co.jp/docs/...730_714157.html
NANDフラッシュメモリの共同開発などで協業しているIntelとMicron Technologyの企業連合(Intel-Micron連合)は、2015年7月28日(現地時間)に米国で記者会見を開催し「革新的な不揮発性メモリ技術を共同開発した」と発表した。両社はこのメモリ技術を「3D XPoint Technology(スリーディー・クロスポイント・テクノロジー )」と名付けている。
両社の発表内容からは、「3D XPoint Technology」がいかに素晴らしい技術であるかを強調する文章が並ぶ。例えば以下のようなものだ。
1. NANDフラッシュメモリに比べて1,000倍も高速
2. DRAMに比べて10倍も記憶密度が高い
3. NANDフラッシュメモリに比べて書き換え寿命が1,000倍も長い
これだけ見ると、もの凄いブレークスルー技術だと錯覚しそうになるが、記者会見のビデオと発表資料を精査すると、違った側面が見えてくる。例えば以下のようなものだ。
1. DRAMに比べると動作速度は遅く、読み出し速度はNANDフラッシュメモリとあまり変わらない
2. NANDフラッシュメモリに比べると記憶密度は低い
3. DRAMに比べると書き換え寿命は、はるかに短い
この主記憶(DRAM)と外部記憶(NANDフラッシュメモリ
の間を埋めるメモリは、かねてより「ストレージ・クラス・メモリ(SCM)」、あるいは「次世代大容量不揮発性メモリ」などと呼ばれて研究開発が進められてきた。
具体的には、相変化メモリ(PCM)、磁気メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)などのメモリ技術だが、3D XPointメモリは、これらと競合するメモリ技術と言える。
日本媒體作足功課有夠認真
