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作者Jeff1987
感謝回應~真的讓在下長知識了
以前775很少聽過CPU被超壞的時候我以為CPU是壞不了的(除非物理損壞)...
看來現在隨著科技進步,反而產品壽命降低(跟SSD一樣啊...)
期待看10nm以後換材料會不會改善這點...
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其實cpu很難因外界的因素形成物理損壞（刻意的不算在內），會出問題的大多是因為"電子遷移"現象。
何謂“電子遷移”現象
根據電子學理論，頻率的提高（如果穩定）對於元件壽命不會有影響，但 是頻率變高後，卻會產生較高的熱量，例如，如果P133是12W的話，P200=12*(1+(200-133)/133)=18W，多出這六瓦在這顆小小CPU裏，如散熱不好將會產生極高的溫度，溫度對半導體確是一大殺手，所以如果你想超頻的話，一定要有很好的散熱條件。我們已經知道超頻會產生大量的熱，使CPU溫度升高，從而引發“電子遷移”現象，而為了超頻，我們通常會提高電壓，如此一來，產生的熱會更多。然而我們必須明白的是，並不是熱直接傷害CPU，而是熱所導致的“電子遷移”現象（electromigration）在損壞IC內部的電路。其實嚴格來說，應該是高溫所導致的“電子遷移”現象所引發的結果。
為了防止“電子遷移”現象的發生，我們必須把IC的表面溫度控制在攝氏５０度以下，這樣IC的內部溫度就可以維持在80度以下，“電子遷移”現象就不會發生。“電子遷移”現象並非立刻就損壞晶片，它對晶片的損壞是一個緩慢的過程，或多或少會降低IC的壽命，假如你讓你的IC持續在非常高的溫度下工作，那你的IC可就......。 何謂“電子遷移”現象（electromigration） 那麽“電子遷移”到底是什麽？“電子遷移”屬於電子科學的領域，在１９６０年代初期才被廣泛瞭解，是指電子的流動所導致的金屬原子的遷移現象。在電流強度很高的導體上，最典型的就是IC內部的電路，電子的流動帶給上面的金屬原子一個動量（momentum），使得金屬原子脫離金屬表面四處流動，結果就導致金屬導線(層)表面上形成坑洞（void）或土丘（hilllock），造成永久的損害，這是一個緩慢的過程，一旦發生，情況會越來越嚴重，到最後就會造成整 個電路的短路（short），整個IC就報銷了。
“電子遷移”現象受許多因素影響，其中一個是電流的強度，電流強度越高，“電子遷移”現象就越顯著。從CPU的發展史，我們可以發現，為了 把CPU的die size縮小，IC越做越小，線路做的越細越薄，如此，線路的電流強度就變的很大，所以電子的流動所帶給金屬原子的動量就變的很顯著，金屬原子就容易從表面脫離而四處流竄，形成坑洞或土丘。另外一個因素就是溫度，高溫有助於“電子遷移”的產生，這就是為什麼我們要把CPU的溫度維持在50以下（手摸起來溫溫的）。至於溫度是如何影響“電子遷移”，有興趣的朋友可以自己去研究。
http://lichun-wei.blogspot.tw/2006/...pucpucpuel.html