引用:
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作者Elros
等等 是你沒看清楚吧
你所說得WSP在這份報告中是指Samsung用於3D NAND堆疊的技術
而圖表中東芝所用的技術叫BICS
而且這份報告的名稱就叫做3D IC重點應用"記憶體堆疊"
文章裡所寫得也是關於單純的NAND及DRAM的堆疊技術
所以很明顯的單純的記憶體堆疊也是劃分在3D IC當中
這跟你講得甚麼"晶片與基板,晶圓接合"完全扯不上關係
既然3D IC的重點應用中有"記憶體立體堆疊"這項
那為何記憶體立體堆疊反過來不能稱為3D IC勒？
我只能在提醒你一次3D IC的"最終目的不是唯一解"
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傻眼,你還是沒看懂圖跟內容...
1.toshiba用的bics是屬於process integration,而實際上3d ic內容
是chip stacking。你咬先弄懂這兩者間的差異。
2.他這邊的記憶體堆疊指的是chip的堆疊而不是process integration,
而且兩種也不互斥,以後為了更高儲存密度可以把3d nand做立體堆疊
這樣講你懂嗎?
3.我何時稱他為唯一解?3d ic達成的方式這麼多,即使是tsv也未必是最終解
關鍵在於是"ic內"的晶片堆疊還是"晶圓內"的堆疊
我建議你從最簡單的pop 3d ic看你就知道差異在哪了