PCDVD數位科技討論區 - 瀏覽單個文章 - 採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體

引用:

作者Elros

來我們來看工研院的另一份資料

3D IC重點應用—記憶體堆疊
http://edm.itri.org.tw/enews/epaper/9802/d02.htm

咦前述東芝 3D NAND技術BiCS做出來的在這一樣被歸類成3D ICㄟ

所以就這份資料來看產業界對3D IC沒你講得這麼狹隘
一定要是不同的晶片與基板,晶圓接合

不同的晶片、基板及晶圓接合
基本上只是最終目標
但這不表示不能達到這個目標前
所採用立體堆疊生產出來的晶片都不能稱為3D IC

你沒看清楚吧
toshiba那份其實是把bics歸類在process integration
而內容只有結論第一點說不管是process integration跟chip stacking都是3d
這根本不符合其他許多報告的定義。

原因我也在文中以a,b兩款分別陳述之。
而你在仔細去看工研院那篇吧,分明講的就是WSP(Wafer-Level Stack Process)
這樣還看不懂