主題
:
採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
瀏覽單個文章
Elros
*停權中*
加入日期: Oct 2003
您的住址: 母獅的胸前... XD
文章: 928
引用:
作者
carbocation2014
而且你也看到前面回文的h兄寫著"3D IC 跟 3D NAND本來就不是同一件事"吧
要查3d ic多的是,
http://edm.itri.org.tw/enews/epaper/10110/e01.htm
來我們來看工研院的另一份資料
3D IC重點應用—記憶體堆疊
http://edm.itri.org.tw/enews/epaper/9802/d02.htm
咦 前述東芝 3D NAND技術BiCS做出來的在這一樣被歸類成3D ICㄟ
所以就這份資料來看產業界對3D IC沒你講得這麼狹隘
一定要是不同的晶片與基板,晶圓接合
不同的晶片、基板及晶圓接合
基本上只是最終目標
但這不表示不能達到這個目標前
所採用立體堆疊生產出來的晶片都不能稱為3D IC
2013-08-08, 08:54 AM #
26
Elros
瀏覽公開訊息
傳送私人訊息給Elros
查詢Elros發表的更多文章
增加 Elros 到好友清單