我舉的例子始終如一
一開始我就說了, 增加NAND容量的方法有幾種
前三種是2D平面的NAND, 朝製程微縮跟MLC/TLC方向把容量做大
第四點的堆疊方式把容量做大, 這就是3D最初始的概念
我可沒說過MLC/TLC是3D吧!

再者, 一個Block含有一個failed bit
這個Block就只能被標記為Bad Block無法使用
3D NAND需要定義 8層~64層的 FG(Floating gate)
以及 一條串接的CG (Control Gate)
層數越多, 製程上的控制就更難, 有這麼難懂嗎?

再者, 標題一開始就有 3D / V-NAND
在這個領域工作的一看就知道
雖然我不能講, 但是我還是可以透露
我就是了解3D NAND, 而且比你想像中的懂更多, 就醬