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引用:
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作者carbocation2014
我沒說他不是3d立體結構,我只是說他不是"3d ic",而且這些根本老掉牙..
他做這個都已經快10年了。要做很多層就算3d ic,你認為你現在用哪個mos
是只有一層的?
也絕對不存在你所謂3d做不做的出來問題,是一定做的出來,只是做成3d是不是能夠
更便宜並且解決遇到的困難,而你所謂那mlc,tlc更不是3d的概念,我印象中旺宏的網頁
寫得還蠻詳細的,你可以看看他們怎麼做be sonos的
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我想應該是我描述的不夠清楚
3D NAND個發展概念就是為了增加容量
當製程沒辦法再微縮, 搭上Multi Level Cell 或是 Triple Level Cell都無法再增加容量時
就會朝垂直方向的堆疊(就是第4點), 這才是3D NAND, 前面3點只是講古
至於MOS是不是只有一層
我想我應該用另一種說法
當你把現在2D MOS的gate dielectric 轉90度後跟3D MOS比
你就會發現, 現在的2D MOS確實只有一層 |