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採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
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jason7ks
Junior Member
加入日期: Jul 2004
文章: 847
引用:
作者
cheng1978
利用TSV做晶片堆疊在DRAM似乎已經算是相對成熟的技術,所以應用至NAND也就不奇怪了
何況三星目前是記憶體技術的頭,這則消息大概就是可以預期高性能、高容量的SSD技術
即將來臨的暗示了!
高性能、高容量看看這一家,
Crossbar, Inc.
的RRAM會不會幹掉NAND Flash。
2013-08-07, 09:57 AM #
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jason7ks
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