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jason7ks
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加入日期: Jul 2004
文章: 847
引用:
作者cheng1978
利用TSV做晶片堆疊在DRAM似乎已經算是相對成熟的技術,所以應用至NAND也就不奇怪了

何況三星目前是記憶體技術的頭,這則消息大概就是可以預期高性能、高容量的SSD技術

即將來臨的暗示了!

高性能、高容量看看這一家,
Crossbar, Inc. 的RRAM會不會幹掉NAND Flash。
 
舊 2013-08-07, 09:57 AM #12
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