據聞目前的問題主要是EUV微影技術還不成熟(成本太高、產量太低)

使得低於20nm以下製程發展進度緩慢

故廠商轉以發展三維立體結構(高達64層垂直堆疊記憶單元，當堆疊超過16層後成本就低於平面閃存)