作者visionary_pcdvd

據報導：瑞晶已經成功試產出基於爾必達技術的 40nm 2Gb DDR3，預計在年底前實現量產

不過由於浸潤式曝光機大缺貨及製程轉換學習曲線難度遠高於過去，恐怕年底時台廠能開出的 40nm 產能仍將極為有限

但不論如何，明年 2Gb顆粒 的產能一定會大量開出，那時 4GB模組 就會成為主流，應該不用等三年