作者jior

這樣說是沒錯,但是要等待製程進步來提升容量是需要時間的
所以要開發更高bits的cell來提升容量,
一個3bits的cell=兩個2bits cell的容量,一個4bits的cell=2個3bits cell的容量
都是倍數成長,比較快也比較實際,當然縮小製程也是一定要的,能省電也能降低成本
不過也是要等東西成熟啦,現在這個讀寫壽命太扯了
說實在的,做記憶卡都不配

作者clrdan

所以 ssd mcu(controller) 的演算法更重要.
根據日本某個頹廢的博士生 blog 上面觀察.
除了 intel ssd mcu 以外的 controller (就剩下:泡菜跟jm), max erase cycle 都會劇烈增加.
可是 intel 這棵神奇的 mcu 就是有辦法壓低 max erase cycle 增加的幅度.
讓 34nm nand flash 不會這麼早掛掉...

<陰謀論>
難怪 50nm 版本的 ssd 不想釋出 trim f/m.... 就夠耐用了還要再插上屠龍寶刀.. XD
</陰謀論>