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soin8850
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加入日期: Jan 2004
文章: 573
引用:
作者michael2000
感謝回覆。

看了參考資料,我可否簡略歸納:hi-k 是為了降低漏電流(省電)、low-k 是為了降低 delay(高速)?


簡單說起來是這樣子沒錯啦

所以其應用的地方不同

製程不斷縮小,連帶的電晶體閘極的絕緣層也越來越薄,反而使得漏電流增加,為了克服漏電流問題所以才會在閘極絕緣層使用high-K 材料
舊 2007-11-29, 04:26 PM #53
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