這裡也有測試~
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/...29/tawada92.htm

對AMD絕望之餘再度興起希望...

1.AMD 65nm(落後Intel一年多)

2. AMD獲得新Z-RAM技術 緩存密度有望大增

原文出處

http://news.mydrivers.com/pages/200...60829_38171.htm

今年1月，AMD和Innovative Silicon Inc.(ISI)公司達成協議，獲得了後者高密度緩存技術Z-RAM的授權(相關報導)，可使處理器的緩存容量提高5倍之多，同時不會增大處理器核心面積。看來AMD對這一技術非常滿意，因為他們剛剛又簽下了ISI的第二代Z-RAM技術。
Z-RAM全稱Zero capacitor RAM，即“無電容RAM”，其最大特點就是不使用電容來保存資料，並採用先進的SOI工藝，可比處理器緩存常用的嵌入式SRAM得到大得多的密度，能顯著提高處理器緩存容量。

據悉，第二代Z-RAM技術能使65nm處理器的緩存密度達到每平方毫米5Mb(625KB)，理論上可以在16平方毫米的面積內集成10MB緩存，而 Intel Core 2 Duo的4MB二級緩存佔用了143平方毫米的面積，密度只有前者的4.5％。與此同時，新一代Z-RAM技術的速度和功耗也都取得了長足進步，最高頻率 400MHz，每MHz只需0.00001W，也就是1微瓦。

在ISI的新聞稿中，AMD技術研發副總裁Craig Sander表示，Z-RAM具備優秀的密度、功耗、性能表現，而且符合我們的標準生產過程，因此成為我們未來微處理器的不二之選。

緩存容量一向是Intel的優勢，不過AMD正在準備改變這一局面，比如2007年下半年的高端桌面四核心“Altair FX”就將具有6MB之多的二級緩存和三級緩存。新的Z-RAM技術無疑會助AMD一臂之力。

AMD 不死，只是落後而已... 估計明年(2007)再次舉兵攻臨 Intel城下