恩 基本上記憶體超頻就是手動調整參數..
像是一些基本常用到的


CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 6T
Row Cycle Time (tRC) 12T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 14T
Command Rate (CR) 1T

RAS To RAS Delay (tRRD) 2T

Write Recovery Time (tWR) 3T

其中標紅色的就是我們常說的CL3.0-3-3-6
隨著參數值越大，記憶體傳輸延遲越長，效能跟著略降。
反向成立。

還有電壓，若是超頻後不穩定，且確定是記憶體的問題，可以對記憶體加壓至2.7~2.8v左右。當然，超頻還是以不加壓為主，比較不會有風險存在。