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AMD新VRAM:美光發30nm 2/4Gb DDR3-2133
消息來源
美光今天宣佈推出新型2Gb、4Gb DDR3 DRAM顆粒,時鐘頻率1066MHz,等效數率2133MHz,非常適合高性能網路和獨立顯卡使用。 這種新型顆粒採用採用30nm工藝製造,96-ball或者78-ball FBGA封裝,容量配置有128Mb×16、256Mb×8、256Mb×16、512Mb×8等四種方式,核心電壓僅為1.5V,循環時間938皮秒,時序CL=14。 美光表示,該顆粒主要有兩種用途,一是針對向高性能網路,以低功耗滿足網路影片、雲端遷移、超多用戶對系統頻寬的需求。這方面美光與LSI進行了合作,並且會專為網路用途提供2GB ECC UDIMM DRAM。 另外一種用途就是在顯卡上做顯存使用,可為主流和低階顯卡提供成本優化的方案,比DDR3-1600多出三分之一的頻寬。這裡美光的合作夥伴是AMD,相信AMD顯卡不久後就會用上這種新VRAM。 美光的這批新顆粒已經開始試產,並會在今夏投入量產。 ![]() |
拿來 當 主機板用 超頻 2133 也應該不錯用!!
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這是16bit的ddr3顆粒,不是一般用的8bit顆粒哦。
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引用:
請問,這就是GDDR跟DDR的不同嗎?感謝~ :confused: |
引用:
確實 bit 數不同 腳位也不同!! 只是這種高速RAM都是用做 顯卡比較多!! NB很大量都是這種 高速 DDR3 (NB DDR5 比較少一點) |
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