内存設定的問題.........?
 

小弟的配置(看簽名), SAMSUNG的RAM好象不怎麽好超.....
内存設為: 2.5-4-3-5
想超300外频, 請問各位大大,還有哪些好的設法......???

設5:4還是3:2這樣跑不同步看看

我现在設的是3:2, 設5:4開不了機............

Samsung的顆粒標準規格是CL3.0,跑CL3.0-3-3-8,或是CL3.0-4-4-8看看

還是不行........!~
 

我在外频275, DRAM Frequency 設偽 (AUTO)時:
上面的: CL3.0-3-3-8 and CL3.0-4-4-8 這两個設定都不能開機.........~~~
现在我的機子在 以下設定是最稳的: 外频275 (@3.3G)
DRAM Frequency ===> (AUTO)
DRAM CAS#Latency ===> (2.5)
DRAM RAS#Precharge ===>(4)
DRAM RAS#toCAS#Delay ===>(3)
Precharge Delay ========>(5)
Burst Length ===>(4)

請教各位大大,SAMSUNG的RAM在CL3.0是,要怎样設才能設成3:2....????~

275外頻最穩...那就用它吧...不然換RAM囉!

DDR400的三星顆粒不會很難超！

以小弟的使用經驗，
在2.5V時，300MHz除頻(3:2)跑DDR400，設CL2.5-3-3-8，可以穩跑PRIME95及MEMTEST+！
若250MHz跑同步時，相同的電壓仍可以穩跑DDR500！