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sutl 2015-10-15 11:10 AM

引用:
作者hareluya6510
而MLC在20nm以下的P/E cycle數基本上都維持在3-4K次之間

我記得三星的講法是,16nm MLC 1000,16nm TLC 750,所以MLC容量壽命已經不太有優勢了。

hareluya6510 2015-10-15 11:57 AM

引用:
作者sutl
我記得三星的講法是,16nm MLC 1000,16nm TLC 750,所以MLC容量壽命已經不太有優勢了。


因為19/16nm有新的製程方法,所以MLC的P/E數還維持在3-4K之間
TLC就沒那麼多了,之前有一個SSD壽命的測試
最早出現Bad block的SSD就是 TLC晶片
印象中,有看過TLC的P/E數沒有號稱的750這麼多~不過我忘記在哪看到的了。


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