我有用過iPad, 家裡也有2台, 其實我很清楚兩者的差異.

但前面有寫了, 我看世界很不同, 用東西專注於"自己要的."
千百萬種APP沒有要用就不具意義, 挑選最能滿足需求的~
上篇有寫就不重複了.

此外, 完整WIN OS跑INTEL肯定燒的啊.. 無力感.
完整的MAC OS跑INTEL也是燒到降頻, 哪裡不同?

兩個體系都跑ARM就解決問題了.

或許我是電子門外漢, 但, 這邏輯有錯誤嗎?
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Google Intel based surface device throttling.
但 pro X 找不到, 有人幫忙找出來嗎?

只有ipad不好用
多台手機
再多一台PC或筆電
然後訂個Apple One雲端全家桶
威力倍增 :D :D :D :D :D

推坑魔王 XD
偏好啦, 我還是走開放式, 說個玩笑話, 你的音響沒有AUDIO IN..

不過, 老爸如果想要手機了, 紫色那個讓老爸年輕一下也不錯.

有個好消息
據說電視校色功能會下放給舊款TV 4K
TvOS 14.5就會增加的樣子
校色用手機是要iPhone X或以上

:yeah: :yeah: :yeah:

高更新率HDR目前開放到60fps
但程式碼裡有120fps(沒支援的電視也沒用...)
都用上了A12而且沒有其他耗用資源的事情
新款TV 4K的本事應該不只如此
不過在Apple增加更多功能之前
舊款4K都能完全滿足我的需求
而且很多人抱怨的舊遙控器
我是非常喜歡的
反而覺得這次改版的遙控器看起來笨重多了

iMac這次是3/3左右對稱, 其實算是很高級的AIO喇叭了.
也採用貧果的耳罩技術(不過應該是軟體方)的包覆音場.
有幾個YouTuber比較酸, 說這效果4 ft.. 在桌子前面就會有.
我覺得, 貧果功力至少可以充滿一個小房間沒問題.

其實我買Surface Pro 7也是當時的一時之選.
原理也類似, 雙邊提高>雙邊向上>雙邊向下.
記得是單邊1.6W~ 總之我經常要開到80%當播放器.

不過, 貧果出品, 低音品質絕對可以期待.
我是比較沒有偏好低音, 而是喜好中頻.
但, 還是要說貧果這次真的是在那個等級內又推升了一個境界.

周末再來逛一次B&O, 這次要穿正式一點.
免得被當成乞丐 XD

神秘的就是發現大部分的人
只要能滿足 鍵盤+滑鼠+觀看或者編輯office需求
一台ipad pro和surface pro或許差別不怎大
太多人所謂的選surface只是為了編輯和處理文書軟體而已
剩下的大體上來說，不熱當，穩定，續航力長短才是重點
不熱當姑且先不提，光是續航力surface pro不知輸了幾條街...
我還是不會一句話打定說ipad一定比surface強
不過以往surface強的 地方，office 效能 實體鍵盤滑鼠的編輯上
這些一個一個的消失
目前確認完全打不過的大概就是效能了吧
連桌上型intel cpu都快不是m1對手了...
且如果不是一個多麼專業的職業人士的話
有時候用了習慣，會發現製作簡單美工和製作影片等等
ipad pro大概比surface pro來的強...
總之，surface強的地方一個一個被追上甚至被超越
surface本身貌似除了過往的傳統硬體升級外
也沒啥太多亮點了...
更別說很多人用的iphone和ipad還能做交互的串連性使用
surface就...孤軍奮戰...
intel的頂規cpu又不找tsmc代工
apple arm m1才第一代就已經快海放intel了
未來3年內我想intel會完全被apple arm soc海放
畢竟tsmc的最頂端製程產能都是apple最先使用

過渡性產品賣佛心價是該哭還是該笑？:laugh:

最新iPad Pro裝了高價Mini LED，卻賣佛心價　蘋果打什麼算盤？

小朋友都知道mini-LED只是過渡到micro-LED的中間產品

但在micro-LED尚未量產之前

最高級的LCD就是搭載mini-LED背光的機種

多爬點文章才不會顯得無知 :think:

至於OLED，三星顯然沒辦法達成Apple的供貨要求

所以才沒有在iPad上使用，但三星平板早已使用多年

至於會不會跟三星手機OLED一樣練功多年終得Apple親賴，還不一定

等製程走到3奈米以下再也走不下去的時候
就還是會回到傳統的電晶體密度決勝負
那時候會面臨真正挑戰的就是台積了

台積這兩三年的領先是在於"願意取捨"使得發展速度能超出intel的預期
但另外一種說法就是走偏門
即便是走偏門
一旦apple決定跨出這步
挾著軟硬體完全整合優勢
他們自會有辦法去跟intel競爭

第三代半導體
https://www.moneydj.com/kmdj/wiki/w...21-7516a3ff7b38

GaN(氮化鎵)與SiC(碳化矽)這兩種寬能隙(wide band gap)半導體被稱為第三代半導體，因具有更好的物理和化學特性，且擁有高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性，使晶片面積可大幅縮小，簡化周邊電路設計。第三代半導體比傳統半導體材料矽(Si)的帶隙要寬的多，能隙是決定半導體的崩潰電場，即能承受的電壓，帶隙越寬的材料越能耐高電壓、高電流。第三代半導體是5G、電動車、高功率應用(如快速充電)、雷達等重要關鍵元件。

半導體第一代材料是矽(Si)，矽的帶隙寬約是1.17 eV；第二代材料是砷化鎵(GaAs)，是現今絕大部分通信設備的材料；第三代材料是指帶隙寬在2.3eV及以上的半導體材料。SiC的帶隙寬為3.26 eV，GaN的為3.5eV，因此成為功率或射頻元件的新材料。

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上面這個不一定是取代矽晶片，但未來依然有取代矽晶片的新技術可能