https://en.wikipedia.org/wiki/NVM_Express

NVMe比SATA-Express還早出世呢...

只是之前都用在企業級晶片上

現在下放到消費晶片上而已

雖然很威猛，但我覺得要冷靜一下，HDD那種幾百個ms躍進到SSD的us是很有感。

但從us到ns的話，如果不是用來伺服多人多工，一般使用上會有明顯的感覺嗎？

話說三星和東芝等其他廠商打算開始用QLC這種偷雞摸狗的東西了

假設***特爾和鎂光這兩個好哥們 3D Xpoint這個量產良率和價格能壓在一個範圍的話
那QLC被打死的機率是多少

打算? NVMe介面的SSD已經有很多人在用了 :unbelief:

SAMSUNG SM951 & INTEL 750...

4KB讀寫目前仍是較慢，還有提昇空間，
如果能有效改善，在小檔存取上會有感覺。

主要是來自這張圖
我一直以為NVMe會是新的介面

http://www.tomshardware.com/reviews...dates,4286.html



QLC的問題應該是P/E cycle 太少
但是如果搭配3D X point memory
把主要讀寫都在 3D X point memory 中進行
不常使用的資料就存在容量更大的 QLC 中，也許QLC會是另一種優勢

QLC (Four-Bit MLC)

Quad-level cell is the next natural progression to increase the density of NAND, and this technology would prove to be very efficient when utilized in tandem with 3D XPoint caching in a hybrid implementation. 3D XPoint would be a natural type of super-fast cache front end for a massive low-endurance (and low-cost) QLC SSD data store.

When I asked Crooke about whether Intel was developing this type of implementation, he gave a knee-jerk, enthusiastic “Yes!" before throttling back down and indicating that everyone in the industry is merely thinking about it and researching it. First it would have to work.

今天有看到篇新聞~

HP、SanDisk 新技術，稱比 NAND 快 1 千倍

（HP）也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」（ReRAM）科技。新技術可取代 DRAM，速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。

不曉得這和 3D XPoint 有什麼差別呢？孰優孰劣？
:confused:

有一說 3D X point memory 也是 ReRAM
不過更多人相信是 PCRAM

ReRAM 跟 3D X point memory 最大的區別可能會是容量

3星有打算做3D ReRAM，但是後續都沒看到消息
至於取代DRAM，我想以DRAM的速度與特性，應該有點難度
目前我認為最有機會的可能是Intel的 DRAM + 3D X point Memory
畢竟CPU是intel研發的，他說我主推、只支援 DRAM + 3D X point Memory
你拿intel一點皮條也沒有呀。

SLC到MLC的PE次數大暴跌，但MLC到TLC卻沒跌多少，TLC到QLC應該也是差不多的情況。

如果QLC容量極大，再加上5~10%的SLC做寫入緩衝，整體壽命應該高過100%MLC。

其實你少考慮製程微縮的影響
SLC的P/E cycle 數 100K次是4X nm，MLC在4X nm 大概還在10K上下
當SLC做到 24nm，P/E cycle數大概剩50K次， MLC則大約在5K次上下
再到19/20nm，SLC P/E數會在40K次附近，到15/16nm就更少
而MLC在20nm以下的P/E cycle數基本上都維持在3-4K次之間

TLC 的壽命大概是在 500-600 次附近
若以SLC--> MLC，壽命大概是減少90%
MLC-->TLC，壽命的減幅也差不多是70-80%
只是MLC本來P/E數就少，看起來好像沒差多少
TLC-->QLC若也是差不多的減少幅度，那P/E數差不多就100次附近

再來就世ECC的功能，NAND在4X nm 以下就必需要ECC的功能
ECC的數量在SLC上很少，Toshiba的24nm SLC 需要8bit ECC
相同製程的MLC需要24bit ECC
TLC則大概要70bit ECC
ECC數量牽扯到讀寫速度以及cell size
QLC預估ECC可能要到2-300bit的等級吧

未來QLC或許會真的出現，但是在目前的技術下可能經濟效益上還比不上TLC
這只能等這些大廠研發出新技術了。