PCDVD數位科技討論區

PCDVD數位科技討論區 (https://www.pcdvd.com.tw/index.php)
-   系統組件 (https://www.pcdvd.com.tw/forumdisplay.php?f=19)
-   -   Intel Haswell的秘密武器:整合穩壓器 (https://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=996186)

Xforce 2013-01-04 01:38 PM

引用:
作者orakim
結果電感不是on-die,是on-package (至少在Haswell 還是這樣)
只不過就像我上面提到電感需要面積很大
裡面幾個有秀出on-package的實照,約略為CPU的 1/5~1/4大

雖然不同die成本結構會不同,但這個面積真的算大而且更效能無關
吃成本又看不出來效能
如果on-die的話 恐怕會跟CPU 焊在MB上不可更換的政策是連攜技

你有看過連結內容?
內容所提的 on-die magnetics 指的是在 VRM 的 on-die magnetic layer.
主要在討論 CMOS 整合磁性物質的製程方式的突破..

Haswell (包含 cpu 設計的 power plane separation
) 整合 On-chip(package) VRM, 優點就是 fine grain power control. 每個 CPU 核心 / GPU 模組 / MCH 都可以有同時不同的DVFS組態.

在講求電源效率的ARM SoC 上Qualcomm / Samsung 等都已經實作 power domain / frequency domain separation + power gating.

cmwang 2013-01-04 02:41 PM

引用:
作者Xforce
你有看過連結內容?
內容所提的 on-die magnetics 指的是在 VRM 的 on-die magnetic layer.
主要在討論 CMOS 整合磁性物質的製程方式的突破..

Haswell (包含 cpu 設計的 power plane separation
) 整合 On-chip(package) VRM, 優點就是 fine grain power control. 每個 CPU 核心 / GPU 模組 / MCH 都可以有同時不同的DVFS組態.

在講求電源效率的ARM SoC 上Qualcomm / Samsung 等都已經實作 power domain / frequency domain separation + power gating.


Multiple power domain/power gating是可以提高電源管理的效率,不過要把數十W級的VRM兜進去(不論是on die或MCM)在短時間內都不是開玩笑的:ase:ase....

Xforce 2013-01-04 03:08 PM

引用:
作者cmwang
Multiple power domain/power gating是可以提高電源管理的效率,不過要把數十W級的VRM兜進去(不論是on die或MCM)在短時間內都不是開玩笑的:ase:ase....


Power Cell 組成, 16向, 最高單 cell 可以支援到25A, 可編程頻率30~140MHz


Integrated VR Chip, 20 個 Power cell


E7330 with Integrated VR. 90W. 僅用3個 power cell.


幾年前就有實際樣本測試過了...最高支援到400A, 測試至220A( 限制於散熱 )

http://www.psma.com/sites/default/f...e-regulator.pdf

Conclusions

• 400A capable – tested to 220A for less than 1⁄2 of chip - Board thermally limited.
• Booted and ran server processor (90W design) with 2 cells – ran with 3 cells under LinpackTM for 4+ hours.
• Ripple below noise threshold
• Efficiency in low 80’s with minor changes -Additionalchangespossiblewillboostup.
• Density is ~8A/mm2 thermally constrained


orakim 2013-01-04 04:02 PM

> 你有看過連結內容?
當然有
> 主要在討論 CMOS 整合磁性物質的製程方式的突破..
這只是一部分,而且講的是如何用磁性物質提高電感值(可達9倍之多) 有助於縮小電感面積
我上一篇講的是文中提到是與消費者更加相關的那一部分
雖然這只有幾行字 幾張照片,但對消費者來說遠遠比這篇大部分的文都要來的有價值
如果你覺得我沒看過的話,我想你忽略的這些資訊

> > 結果電感不是on-die,是on-package
我上面這一行用錯詞了 及少註明東西
電感要換成CMOS voltage regulator,雖然CMOS voltage regulator 大部分是電感
另外 CMOS voltage regulator 是on-die(on 他自己的die),不是on在CPU那個Die
所以後藤弘茂稱這個方式叫on-package

蒼藍的月光 2013-01-04 04:31 PM

有一個疑問

為什麼英特爾不推出高電壓低電流的產品(同瓦數)

這樣在AC轉換DC時效率不就能夠提高很多嗎!?

在以前個人PC當道的時代,這樣做不是能減低很多損耗嗎!?

jamin 2013-01-04 04:55 PM

引用:
作者蒼藍的月光
有一個疑問

為什麼英特爾不推出高電壓低電流的產品(同瓦數)

這樣在AC轉換DC時效率不就能夠提高很多嗎!?

在以前個人PC當道的時代,這樣做不是能減低很多損耗嗎!?

因為 CPU 功耗與電壓的平方成正比. :ase

 

aaaa88 2013-01-04 05:28 PM

引用:
作者jamin
因為 CPU 功耗與電壓的平方成正比. :ase

 

應該不是這樣吧!!!!

理想的CMOS 功耗損失來自於電壓狀態切換損失......功耗應正比於頻率....
當然不可能有理想CPU......得看其製程漏電率......通常電壓越高漏電劣化程度越高..

另外電壓越高....代表狀態切換swing的時間就越長...動作頻率會較低........
所以要廠商直接做12V vcore CPU不是不可能....但速度應該會慢很多吧......而且狀態切換漏電損失應該頗為可觀吧...

cmwang 2013-01-04 06:44 PM

引用:
作者蒼藍的月光
有一個疑問

為什麼英特爾不推出高電壓低電流的產品(同瓦數)

這樣在AC轉換DC時效率不就能夠提高很多嗎!?

在以前個人PC當道的時代,這樣做不是能減低很多損耗嗎!?


這要分兩部份解釋,高工作電壓就要高耐壓,通常代表絕緣層要變厚,整體的體積就會變大(電子要走的路徑變長),所以不利於高速化(以早期的製程為例,CMOS的耐壓/工作電壓最高,速度最慢,TTL居中,速度也居中,ECL工作電壓最低,速度也最快,不過ECL最快不單是工作電壓低一項因素而已:ase),另一方面高工作電壓通常代表邏輯位準也會跟著升高,光看邏輯位準轉換時耗在寄生電容上的能量(Q=CV)就跑不掉了,so:ase:ase....

lexwu0919 2013-01-12 01:06 PM

為什麼不要低電流?
數位電路講求低電壓高電流速度才會快

POWER整合在CHIP上應該也還好,看那面積那麼大
CHIP也沒想像中的不耐流,PAD用多一點、走線粗一點就是了

天屎~加百列 2013-01-12 01:24 PM

Haswell用的是VR 12.5
VR 12.5還是獨立的
只是整合控制器而已
但已經讓主機板設計變簡單很多
真正整合要到下一代Broadwell看有沒有機會

我手上還有12.5的spec...


所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是08:28 PM.

vBulletin Version 3.0.1
powered_by_vbulletin 2025。