跑分慢，實際也是慢




理論上當然是跟著第一顆保固條款跑

(反正你也只是跟代理商換貨)

SLC cache
連續寫入慢, 寫入量倍增.

SLC cache 對寫入放大的影響可能還是要看實際運作機制 ,
固定大小的 545s 到目前為止沒有明顯的高寫入放大 :

545s 有RAM cache吧, 不需要用NAND flash當cache.

SLC cache 作用跟機制跟 DRAM cache/buffer 不太一樣啊 ...

如果有 DRAM 就不用 NAND cache ,那 TLC 的寫入降速應該會更早發生

DRAM Cache 跟 SLC Cache 是兩回事，切勿混為一談｡

好像除了M大沒人直接回答你的疑慮....

dramless除了跑分較慢，不會造成顆粒壽命變低

dramless主控的出現，只是代表SSD這個產業已到成熟階段

開始對消費者分群分眾，專門針對對價格敏感且只要求表現穩定與效能所設計(簡言之就是costdown)

我相信連一般定位在高階市場的PCIe MvMe SSD，將來也會有dramless主控的solution


關於dramless主控有兩個事情要澄清：

1.DRAM Cache跟SLC Write Cache是不一樣的機制 (樓上有人搞混了)

2.dramless主控不代表沒有DRAM做Cache，只是把機制整合進主控晶片裡(用少量的SRAM來充當)

玩電腦有一段不短時間的老人們或者大學計概有認真念的好學生....應該還記得DRAM跟SRAM 差在哪

感謝說明，決定購買su650即可。

剛好發現 momo 06/28 20:00~06/29 07:59
adata su650 240g 一顆 $1388

有低預算裝機需求的朋友可以考慮

多謝指正，我一時沒考量到USB本身的頻寬限制

不過看到閣下親自測試的成績會折損的這麼慘

不單是循序讀寫的效能，連4K也慘不忍睹....

白白浪費了PCIe NvMe SSD的好效能

這種產品感覺比較像是過渡性產品，就像當年的USB 2.0 外接盒

SSD產品相關頻寬數據：
SATA 3.0 SSD 600MB/s
PCIe 3.0 X2 NvMe SSD 1.969GB/s
PCIe 3.0 X4 NvMe SSD 3.938 GB/s

外接規格相關頻寬數據：
USB 3.1 gen1 ~500MB/s
USB 3.1 gen2 ~1GB/s
USB 3.2 ~2GB/s
Thunderbolt 3 ~4GB/s

由以上來看，轉成外接轉換效率最佳的幾個Solution是：
1.SATA 3.0 SSD 轉 USB 3.1 Gen2 (Plextor EX1 Plus就是這種)
2.PCIe 3.0 X2 NvMe SSD 轉 USB 3.2 (還未真正面市)
3.PCIe 3.0 X4 NvMe SSD 轉 Thunderbolt 3 (目前的主流卻不流行)

https://read01.com/zh-tw/jydMax.html
1.理論上壽命會變降低但影響不大，因為映射表對SSD來說不是很大

SSD內部有張映射表用來對應系統邏輯位置與SSD實際物理位置
只要有對顆粒做寫入、擦除都會更動此表內容
沒有DRAM時主控會批次或實時寫入顆粒更新此表

https://www.ptt.cc/bbs/Storage_Zone...6019.A.2F2.html
2.大檔順序讀寫的差別不大，但相較一般有DRAM的SSD，4K讀寫還是有差距
因映射表存在於顆粒中，且只有小部份會快取至主控SRAM中
當系統讀取資料時，主控大部分時間需至顆粒中查表
確認資料存在那些顆粒的哪些位置之中後才能真正開始讀取資料
等於大部分時間主控需向顆粒讀取兩次資料才能拿到想要的資料