噗...

難得手腳快這麼一次, 沒想到還是買錯了... :shy:

近傍晚已收到貨, 沒拆, 晚上就給它辦退貨好了... :ase

謝謝各位大大提供的資訊 QQ

應該說多位元 NAND 可以藉由減少儲存位元數模擬較低位元的 NAND
所以 TLC 可以模擬成 MLC/SLC ,MLC 可以模擬成 SLC 的模式來使用
但是卻沒有辦法增加位元數來使用 ,因為當初製作時就已經決定上限了
也就是 TLC->MLC->SLC 可行 ,SLC->MLC->TLC 不可行

雖然美光原廠不直接區分 TLC/MLC 而是另外先以一個 3D NAND 分類
但嚴格來說這顆粒本身先天確實應該是 TLC 才有可能減少 bit 做成 MLC 模式

模擬??很容易讓人聯想到拿特定顆粒拿來做模擬的.
請教一下
既然是模擬成MLC那耐用及速度是不是就會跟MLC一樣??
ADATA SU900 是不是就是採取這樣的方式?

速度會比較快，望向作弊的960PRO

但是壽命是不會比較好，因為硬體就是TLC，P/E cycle大概就是那樣了

SU900有說它內建智慧型SLC Caching，就是這意思

Caching用光還不是一樣趴下


SLC快取的大小應該跟剩餘容量有關,
以SU900 256GB的版本來說,
只要使用超過130G,(包含傳輸後寫入的容量也算)
單次寫入2GB以上的檔案就會發生降速到22MB/s的現象,

不一定 ,要看 SLC cache 的模式

ADATA/美光是動態模式 ,SLC cache 跟剩餘容量有關 ,容量還夠幾乎都不太會掉速
Intel(545s)則是固定大小 ,就算磁碟還很空寫入檔案一超過 SLC cache 大小馬上就掉速

耐用度是一種估計值，主要跟電壓飄移有關。

假設記錄電壓最高是3V，那SLC就只會有3/0V兩種紀錄，MLC會有3/2/1/0V四種紀錄，TLC會有3/2.5/2/1.5/1/0.5/0V八種紀錄。(我這舉例其實只有七種啦...)

首先看最簡單的SLC，基本上隨便紀錄都不會對未來的判讀出現問題，例如記錄成2.2V時(這很扯了)，在未來讀取時也不會判斷成0V，所以SLC可以快速寫入，不怕些微的紀錄誤差造成未來讀取錯誤。

從這裡就可以發現，MLC跟TLC需要更精準的電壓紀錄，所以就只好放慢寫入速度，以避免電壓誤差太大。

這也是以前為何同樣容量的MLC，企業級的往往寫入比消費級的慢，為的就是寫入電壓的正確性。

另外附近電壓波動時，也會影響已記錄的電壓值，所以經過一段時間就要重寫一遍，以免電壓紀錄被影響到錯誤。這就是製程越小壽命越短的原因，因為越小越近越容易受到影響，所以現在改用大製程來堆疊，目前大約堆到32~48層樓左右。

所以，可以當TLC的顆粒拿來當SLC用，應該是不用擔心壽命問題，因為就只有3/0V這兩種紀錄，不太容易出問題。

但問題在於SLC區塊的容量不大，所以遲早會將資料移到TLC區塊去，這時就要擔心紀錄壽命問題。(大檔直接寫入TLC時的電壓穩定度更令人擔憂)


這樣說來，MLC跟TLC根本就很類比，一點都不數位 :laugh:

:shock: 難怪我手上的sx8000 256G在用掉180g之後掉速嚴重

目前要買一顆 SSD 預定 MX500 500G

4288 用 200 折價卷 加滅100 信用卡活動

3988 用五年 , 再等幾天看看有沒有新年活動

這樣等於250G不到兩千，看起來很划算喔 :like: